[发明专利]半导体封装件和形成该半导体封装件的方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

基础基底；

第一半导体芯片，包括第一硅通孔，其中，第一半导体芯片堆叠在基础基底上；

第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上，第二半导体芯片包括第二硅通孔；以及

非导电膜，形成在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间，非导电膜包括具有不同粘度的两层，

其中，包括在非导电膜中的所述两层中的每个层的粘度在远离基础基底的方向上增加。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，非导电膜包括第一层和在第一层上的第二层，

其中，第一层的最低粘度比第二层的最低粘度低。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，第一层包括第一陶瓷填料，

第二层包括第二陶瓷填料，

第一陶瓷填料的平均直径大于第二陶瓷填料的平均直径。

4.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，第一层的厚度小于第二层的厚度。

5.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，第一层接触第一半导体芯片的顶表面，

第二层接触第二半导体芯片的底表面。

6.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，第二层的侧表面的一部分被第一层覆盖。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括成型构件，所述成型构件覆盖第一半导体芯片的侧表面、第二半导体芯片的侧表面和非导电膜的侧表面，成型构件覆盖非导电膜。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，当在水平方向上观察半导体封装件时，从第一半导体芯片和第二半导体芯片的边缘突出的非导电膜的宽度小于成型构件的宽度。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，非导电膜包括助焊剂。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括连接构件，所述连接构件设置在第一半导体芯片的顶表面与第二半导体芯片的底表面之间，以使第一硅通孔与第二硅通孔电连接，

其中，非导电膜填充连接构件之间的空间。

11.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

基础基底；

至少两个半导体芯片，在与基础基底的顶表面垂直的方向上堆叠在基础基底上，每个半导体芯片包括硅通孔；以及

非导电膜，位于半导体芯片之间，非导电膜包括具有不同粘度的至少两个层，

其中，包括在非导电膜中的每个层的粘度在远离基础基底的方向上增加。

12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，非导电膜包括具有不同尺寸的陶瓷填料，

其中，在包括在非导电膜中的每层中，陶瓷填料的平均直径在远离基础基底的方向上减小。

13.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，基础基底包括印刷电路板、插件、晶圆和与所述至少两个半导体芯片类型不同的半导体芯片中的任意一种。

14.根据权利要求11所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

第一成型构件，覆盖半导体芯片的侧表面和非导电膜的侧表面；以及

第二成型构件，覆盖第一成型构件的至少一部分，第二成型构件设置在基础基底与所述至少两个半导体芯片的最下面的半导体芯片之间。