[发明专利]n沟道DEMOS器件

权利要求书

1.一种制造具有n沟道漏极延伸金属氧化物半导体器件即n沟道DENMOS器件的集成电路即IC的方法，其包括：

提供衬底，所述衬底具有在其上的掺杂表面层；

形成限定长度方向和宽度方向的至少一个p阱指形件，其在包括沟道区的所述表面层内具有p阱掺杂；

在所述p阱指形件的一侧上形成第一n阱，并且在所述p阱指形件的相对侧上形成第二n阱；

在限定第一有源区的所述表面层的一部分上形成场介电层，所述第一有源区具有第一有源区边界，所述第一有源区边界包括沿着所述宽度方向的WD边界，在所述第一有源区边界之中具有所述沟道区；

在所述沟道区上方形成栅极堆叠，所述栅极堆叠包括栅极介电层和在所述栅极介电层上的图案化栅电极；

植入所述p阱指形件以形成第一p型层，所述第一p型层在所述第一有源区外部被掺杂第一掺杂水平，并且与所述WD边界相距至少第一最小距离；

植入所述p阱指形件以形成第二p型层，所述第二p型层被掺杂小于所述第一掺杂水平的第二掺杂水平并且具有比所述第一最小距离更接近所述WD边界的第二最小距离，以及

在所述第一n阱内形成n+源极并且在所述第二n阱内形成n+漏极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一p型层与所述WD边界相距至少0.5μm，并且其中所述第二最小距离是零，以使得所述第二p型层在所述WD边界上方并且延伸到所述第一有源区内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述场介电层是通过硅局部氧化工艺即LOCOS工艺形成的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一p型层和所述第二p型层均在形成所述场介电层之后形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个p阱指形件包括多个所述p阱指形件。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一掺杂水平是所述第二掺杂水平的至少2倍。

7.一种n沟道漏极延伸金属氧化物半导体器件即n沟道DENMOS器件，其包括：

衬底，所述衬底具有在其上的掺杂表面层；

限定长度方向和宽度方向即p阱宽度方向的至少一个p阱指形件，其具有在所述表面层内形成的p阱掺杂；

第一n阱和第二n阱，所述第一n阱在所述p阱指形件的一侧上并包括在其中的n+源极，所述第二n阱在所述p阱指形件的相对侧上并包括在其中的n+漏极；

在所述源极和所述漏极之间的所述p阱指形件的沟道区上方的栅极堆叠，所述栅极堆叠包括栅极介电层和在所述栅极介电层上的图案化栅电极；

在限定第一有源区的所述表面层的一部分上的场介电层，所述第一有源区具有第一有源区边界，所述第一有源区边界包括沿着所述宽度方向的WD边界，在所述第一有源区边界之中具有所述沟道区；

第一p型层，其在所述第一有源区外部被掺杂第一掺杂水平并且与所述WD边界相距至少第一最小距离；以及

第二p型层，其被掺杂小于所述第一掺杂水平的第二掺杂水平并且具有比所述第一最小距离更接近所述WD边界的第二最小距离。

8.根据权利要求7所述的DENMOS器件，其中所述第二最小距离是零，以使得所述第二p型层在所述WD边界上方并且延伸到所述第一有源区内。

9.根据权利要求7所述的DENMOS器件，其中所述场介电层包括硅局部氧化氧化物即LOCOS氧化物。

10.根据权利要求7所述的DENMOS器件，其中所述第一p型层与所述WD边界相距至少0.5μm，并且其中所述第一p型层和所述第二p型层均在所述p阱宽度方向上从所述p阱指形件的边缘凹陷。

11.根据权利要求7所述的DENMOS器件，其中所述第一掺杂水平是所述第二掺杂水平的至少2倍。