[发明专利]一种扩散装置和沉积腔室

说明书

本发明提供一种扩散装置和沉积腔室。该扩散装置用于对通过其中的气体进行扩散，包括：至少两个扩散板，至少两个扩散板之间相互间隔并相对应叠覆，每个扩散板上均开设有多个通孔，扩散板之间的间距和扩散板上通孔的分布密度均能够对应与分布在扩散装置入气侧的气体的分布密度相适配，以使通过扩散装置的气体均匀输出。该扩散装置通过设置至少两个扩散板，能使扩散板之间的间距和扩散板上通孔的分布密度对应与扩散装置入气侧的气体分布密度相适配，从而使通过扩散装置的气体的分布密度更加均匀，进而使沉积在基片上的膜层的厚度更加均匀，提高了膜层沉积在基片上所形成的产品的稳定性和良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种扩散装置和沉积腔室。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积(PECVD，Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。等离子体增强化学气相沉积设备主要由装载腔室、传送腔室和工艺沉积腔室组成，装载腔室主要用来与大气真空机器人交换用于沉积薄膜的玻璃基片，传送腔室主要用来在真空条件下把玻璃基片传送到工艺腔室中，工艺沉积腔室主要用来在玻璃基片上沉积工艺薄膜。

目前经常采用的工艺沉积腔室如图1所示，工艺气体在气体输入管道6中经过射频功率源7的射频功率电离后离解成等离子体，工艺气体等离子体通过气体输入管道6通入沉积腔室8中的气体扩散板1上部，通过气体扩散板1中的过滤孔后扩散至沉积腔室8底部的基台4承载的玻璃基片上方，并在玻璃基片上沉积形成膜层。等离子化学气相沉积出的薄膜，膜层的均一性和膜质受到多个因素影响，影响膜层均一性的主要因素为玻璃基片上方工艺气体等离子体的分布状况，沉积膜层的厚度与玻璃基片上方工艺气体等离子体的分布密度成正相关。

现有技术中，采用单层气体扩散板1来调整沉积腔室8内工艺气体等离子体的分布密度，且单层气体扩散板1上开设有均匀分布的通孔，经过单层气体扩散板1调整后沉积在玻璃基片上的膜层边缘膜厚与中间膜厚依然呈现出明显的差异，导致整体沉积膜层厚度均一性不高。另外，单层气体扩散板1为一体结构，其重量较重，对其进行位置调节比较困难，且在单层气体扩散板1损坏之后只能对其进行整体更换和维修，导致其实际累计使用周期较短，维护费用较高。

因此，采用什么样的气体扩散板能使沉积在玻璃基片上的膜层的厚度更加均匀已成为目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种扩散装置和沉积腔室。该扩散装置通过设置至少两个扩散板，能使扩散板之间的间距和扩散板上通孔的分布密度对应与扩散装置入气侧的气体分布密度相适配，从而使通过扩散装置的气体的分布密度更加均匀，进而使沉积在基片上的膜层的厚度更加均匀，提高了膜层沉积在基片上所形成的产品的稳定性和良率。

本发明提供一种扩散装置，用于对通过其中的气体进行扩散，包括：至少两个扩散板，至少两个所述扩散板之间相互间隔并相对应叠覆，每个所述扩散板上均开设有多个通孔，所述扩散板之间的间距和所述扩散板上所述通孔的分布密度均能够对应与分布在所述扩散装置入气侧的气体的分布密度相适配，以使通过所述扩散装置的气体均匀输出。

优选地，各个所述扩散板相互平行，任意相邻两个所述扩散板中的所述通孔的位置相对应。

优选地，各个所述扩散板相互平行，任意相邻两个所述扩散板中的所述通孔的位置相互错开。

优选地，每个所述扩散板均包括多个子扩散板，多个所述子扩散板能够拼接形成整个所述扩散板，每个所述子扩散板均能拆卸。

优选地，每个所述扩散板的多个所述子扩散板位于同一平面上，且多个所述子扩散板之间无缝拼接。