[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，更具体地涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

在制造工艺技术中，由于产量和可靠性问题，材料密度要求成为必要。例如，如果金属或通孔密度不够，则在先进的集成电路中流行使用的低k材料在对制造过程中对化学机械抛光(CMP)不够强健。因此，开发插入伪层的技术以增加材料密度，以便提高产出率。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：多个栅极；以及第一导电部，其中，所述栅极中的第一栅极和所述第一导电部之间存在第一距离，所述多个栅极中的第二栅极和所述第一导电部之间存在第二距离，并且所述第一距离大于所述第二距离。

本发明的实施例还提供了一种半导体器件，包括：第一栅极；以及第一导电部，布置在所述第一栅极和对应于所述第一栅极的第一伪栅极之间，其中，位于所述第一导电部和所述第一栅极之间的第一距离和位于所述第一导电部和所述第一伪栅极之间的第二距离是非对称的。

本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法，包括：将第一栅极布置在有源区上；将导电部布置在所述有源区上，其中，所述第一栅极和所述导电部之间存在第一距离；以及将第二栅极布置在所述有源区上，其中，所述第二栅极和所述导电部之间存在第二距离，其中，所述第一距离不同于所述第二距离。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的各个实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1是根据本公开各种实施例的半导体结构的示意性布局的顶视图；

图2A是根据本公开一些实施例的MOS器件的示意性布局的顶视图；

图2B是根据本公开一些实施例的图2A中的MOS器件的侧视图；

图2C是根据本公开一些其他实施例的MOS器件的示意性布局的顶视图；

图2D是根据本公开一些其他实施例的MOS器件的顶视图；

图2E是根据本公开一些其他实施例的MOS器件的顶视图；以及

图3是根据本公开一些实施例的用于图2A中MOS器件的布局的方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现所提供主题的不同特征。以下将描述组件和布置的特定实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。另外，本发明可以在多个实例中重复参考标号和/或字符。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

说明书中使用的术语一般具有在本领域中和在每一术语所使用的具体背景下的通常的含义。说明书中实例(包括这里所讨论的任何术语的实例)的使用仅是示例性的，并非限制本发明或任何示例性术语的范围和含义。而且，本发明不限于说明书中给出的各种实施例。

虽然术语“第一”、“第二”等在此可用于描述各种实施例，这些实施例不应被这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件分隔开。例如，在没有实施例的范围内，第一元件可以叫做第二元件，并且类似地，第二元件可以叫做第一元件。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联所列项目的任一或所有组合。

现参考图1。图1是根据本公开各种实施例的半导体结构100的示意性布局的顶视图。在一些实施例中，半导体结构100和参考图2B-2E讨论的半导体结构中的至少一部分表示标准单元。在一些实施例中，标准单元指已经布置好并且存储在为数据库形式的电路库中的预定单元。而且，在一些实施例中，标准单元存储在有形存储介质中，包括例如硬盘驱动器。在集成电路设计中，从电路库中获取标准单元并且在置放操作中放置标准单元。例如，采用运行用于设计集成电路的软件的计算机实施置放操作。软件包括具有置放和布线的电路布局工具。