[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201710263514.X | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107393826A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 林仲德;江庭玮;庄惠中;田丽钧;苏品岱 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
多个栅极；以及
第一导电部，
其中，所述栅极中的第一栅极和所述第一导电部之间存在第一距离，所述多个栅极中的第二栅极和所述第一导电部之间存在第二距离，并且所述第一距离大于所述第二距离。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二栅极是伪栅极。
3.根据权利要求1所述的器件，还包括：
第一有源区，其中，所述第一导电部被布置在所述第一有源区上。
4.根据权利要求3所述的器件，还包括：
第一通孔，布置在位于所述第一栅极和所述第二栅极之间的中间位置处，并且耦接在所述第一导电部和所述第一有源区之间；
其中，所述第一栅极和所述第一通孔之间存在第三距离，所述第一通孔和所述第二栅极之间存在第四距离，并且所述第三距离与所述第四距离相同。
5.根据权利要求3所述的器件，还包括：
第一通孔，设置在所述第一栅极和所述第二栅极之间，并且耦接在所述第一导电部和所述第一有源区之间，
其中，所述第一栅极和所述第一通孔之间存在第三距离，所述第一通孔和所述第二栅极之间存在第四距离，并且所述第三距离大于所述第四距离。
6.根据权利要求3所述的器件，还包括：
第二有源区；以及
第二导电部，耦接到所述第二有源区；
其中，所述第二导电部和所述第一栅极之间存在第三距离，所述多个栅极中的第三栅极和所述第二导电部之间存在第四距离，并且所述第三距离大于或等于所述第四距离。
7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述第三栅极是伪栅极。
8.一种半导体器件，包括：
第一栅极；以及
第一导电部，布置在所述第一栅极和对应于所述第一栅极的第一伪栅极之间，
其中，位于所述第一导电部和所述第一栅极之间的第一距离和位于所述第一导电部和所述第一伪栅极之间的第二距离是非对称的。
9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述第一栅极被配置为接收第一信号，并且所述第一导电部被配置为响应于所述第一信号传送第二信号。
10.一种形成半导体器件的方法，包括：
将第一栅极布置在有源区上；
将导电部布置在所述有源区上，其中，所述第一栅极和所述导电部之间存在第一距离；以及
将第二栅极布置在所述有源区上，其中，所述第二栅极和所述导电部之间存在第二距离，
其中，所述第一距离不同于所述第二距离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710263514.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体场效应晶体管及其制作方法
- 下一篇：薄膜晶体管基板及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
