[发明专利]一种高折光材料及其合成方法有效

专利信息
申请号: 201710263305.5 申请日: 2017-04-20
公开(公告)号: CN107226908B 公开(公告)日: 2020-10-13
发明(设计)人: 李泽;田堃;杨雄发;郝超伟;来国桥;蒋剑雄;邱化玉 申请(专利权)人: 杭州师范大学
主分类号: C08G77/16 分类号: C08G77/16;C08G77/20;C08G77/24;C08G77/26
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 王江成
地址: 311121 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 折光 材料 及其 合成 方法
【权利要求书】:

1.一种高折光材料的合成方法,其特征在于,所述高折光材料为具有结构式如(I)所示的聚合物1,或者具有结构式如(II)所示的聚合物2,或者具有结构式如(III)所示的聚合物3,

所述的合成方法为以下步骤:

(1)结构式如(IV)所示的双甲板型多面体低聚倍半硅氧烷在催化剂A的催化下在有机溶剂中发生聚合反应,经过后处理,得到结构式如(I)所示的聚合物1;

(2)聚合物1与两键或三键化合物,在催化剂A的作用下在有机溶剂中反应,经过后处理,得到结构式如(II)所示的聚合物2;

(3)聚合物2与结构式如(V)所示的硅烷,在催化剂B的作用下在有机溶剂中反应,经过后处理,得到结构式如(III)所示的聚合物3,

上式中,X、Y、Z分别独立地选自氢、烷基、烯基、炔基、芳香基、环氧基、酯基、磺酸基、羧基、腈基、卤代烷基、卤代烯基、卤代炔基、巯基、硝基、胺基、C60中一种;R选自氢、烷基硅基、烯基硅基、炔基硅基、烷氧基硅基、芳香基硅基、环氧基硅基、酯基硅基、磺酸基硅基、羧基硅基、腈基硅基、卤代烷基硅基、卤代烯基硅基、卤代炔基硅基、巯基硅基、硝基硅基、胺基硅基、C60硅基中一种;a为大于1的整数;b、c、d为等于0或者大于0的整数;e、f、g、h、i、j、k、m、n、p、q等于0,

结构式(V)中A选自卤素、拟卤素、氢、烷氧基中一种;B、C、D分别独立地选自氢、烷基、烯基、炔基、芳香基、环氧基、酯基、磺酸基、羧基、腈基、卤代烷基、卤代烯基、卤代炔基、巯基、硝基、胺基、C60中一种;

所述有机溶剂选自烷烃、芳香烃、醚类、环醚类、酮类中一种或几种,所述的催化剂A选自路易斯酸、金属单质、金属氧化物、金属盐、络合物中一种,结构式如(IV)所示的双甲板型多面体低聚倍半硅氧烷与催化剂A的质量比为1∶0.001~1。

2.根据权利要求1所述的高折光材料的合成方法,其特征在于,聚合物1与催化剂A的质量比为1∶0.001~1,两键或三键化合物与聚合物1的质量比为1∶0.001~10,两键或三键化合物选自烯基、炔基、羰基化合物中一种。

3.根据权利要求1所述的高折光材料的合成方法,其特征在于,所述的催化剂B选自无机氨、有机胺、季铵碱,路易斯酸、金属单质、金属氧化物、金属盐、络合物中一种。

4.根据权利要求1或3所述的高折光材料的合成方法,其特征在于,结构式如(V)所示的硅烷与催化剂B的质量比为1∶0.001~10,与聚合物2的质量比为1∶0.001~10。

5.根据权利要求1所述的高折光材料的合成方法,其特征在于,反应温度为-20~140℃,反应时间为30分钟~24小时。

6.根据权利要求1所述的高折光材料的合成方法,其特征在于,后处理过程为重结晶、沉淀、色谱、升华或者真空烘干。

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