[发明专利]伯努利吸盘

说明书

本发明提供一种伯努利吸盘，包括：拿持部，拿持部内形成有气体主管路；主体部，主体部内形成有气体子管路，主体部的下表面形成有若干个排气孔；第二气体子管路第一部分的第一端与所述气体主管路相连通，气体子管路第一部分的第二端延伸至主体部远离拿持部的一端；气体子管路第二部分的第一端与气体子管路第一部分的第二端相连通，气体子管路第二部分的第二端自主体部远离所述拿持部的一端延伸至主体部靠近拿持部的一端；气体子管路第三部分与气体子管路第二部分的第二端相连通；排气孔与气体子管路第三部分相连通。本发明的伯努利吸盘可以保证喷射出的气体的温度与晶圆的温度相近，从而有效避免了雾状缺陷的产生。

技术领域

本发明属于半导体设备技术领域，特别是涉及一种伯努利吸盘。

背景技术

由于附加的硅层可以去除所谓的cop(晶体的原生粒子缺陷)，12寸外延片广泛应用于逻辑芯片。在现有技术中，AMAT Centura和ASM Epsilon为现有使用最广泛的两种外延设备。为了将晶圆从外延设备的反应腔室中传入传出，需要使用伯努利吸盘吸附晶圆；使用伯努利吸盘吸附传送晶圆时，晶圆与伯努利吸盘之间有一层气体层，晶圆不与伯努利吸盘直接接触。

然而，使用伯努利吸盘吸附晶圆时，由于从伯努利吸盘排气孔排出的气体温度较低，这些温度较低的气体将会在晶圆表面产生温度梯度，晶圆表面存在温度梯度将会产生纳米级别的热收缩及热扩张，从而在晶圆的表面形成纳米级的形变，使得晶圆的表面产生严重的雾状缺陷(haze)，雾状缺陷不利于进一步的芯片器件制造，将会对芯片器件的性能产生不良影响。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种伯努利吸盘，用于解决现有技术中由于伯努利吸盘在吸附晶圆时排出的气体温度较低而导致的在晶圆表面产生雾状缺陷的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种伯努利吸盘，所述伯努利吸盘包括：

拿持部，所述拿持部内形成有气体主管路；

主体部，与所述拿持部相连接，所述主体部内形成有气体子管路，所述主体部的下表面形成有若干个排气孔；所述气体子管路包括第一部分、第二部分及第三部分；所述气体子管路第一部分包括第一端及第二端，所述气体子管路第一部分的第一端与所述气体主管路相连通，所述气体子管路第一部分的第二端延伸至所述主体部远离所述拿持部的一端；所述气体子管路第二部分包括第一端及第二端，所述气体子管路第二部分的第一端与所述气体子管路第一部分的第二端相连通，所述气体子管路第二部分的第二端自所述主体部远离所述拿持部的一端延伸至所述主体部靠近所述拿持部的一端；所述气体子管路第三部分与所述气体子管路第二部分的第二端相连通；所述排气孔与所述气体子管路第三部分相连通。

作为本发明的伯努利吸盘的一种优选方案，所述气体子管路第一部分的数量及所述气体子管路第二部分的数量均为两个；两个所述气体子管路第一部分位于所述气体子管路第三部分的外围，所述气体子管路第二部分位于所述气体子管路第一部分与所述气体子管路第三部分之间；两个所述气体子管路第一部分的第一端均与所述气体主管路相连通，所述气体子管路第一部分的第二端与位于所述气体子管路第三部分同一侧的所述气体子管路第二部分的第一端相连通；两个所述气体子管路第二部分的第二端均与所述气体子管路第三部分相连通。

作为本发明的伯努利吸盘的一种优选方案，所述主体部的形状为圆形，所述气体子管路第一部分的形状为半圆弧形。

作为本发明的伯努利吸盘的一种优选方案，所述气体子管路第三部分包括第一支管路及若干个第二支管路；所述第一支管路与所述气体主管路相平行，所述第二支管路与所述第一支管路相连通，且自所述第一支管路向所述主体部的两侧延伸。

作为本发明的伯努利吸盘的一种优选方案，所述第一支管路的一端与两个所述气体子管路第二部分的第二端相连通。