[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

(a)工序，准备SOI衬底，该SOI衬底具有半导体衬底、所述半导体衬底上的第一绝缘膜及所述第一绝缘膜上的第一半导体层；

(b)工序，在所述第一半导体层和所述第一绝缘膜形成了开口部之后，在所述开口部下方的所述半导体衬底形成槽；

(c)工序，形成元件隔离部，该元件隔离部由被埋入至所述开口部和所述槽的内部的第二绝缘膜构成；

(d)工序，以抗蚀图案作为掩膜，经由所述第一半导体层和所述第一绝缘膜，以离子注入的方式向被所述元件隔离部包围的所述半导体衬底注入第一杂质，在所述半导体衬底形成半导体区域；

(e)工序，在去除了所述抗蚀图案之后，在所述第一半导体层上形成栅极绝缘膜；以及

(f)工序，在所述栅极绝缘膜上形成栅电极，

所述抗蚀图案形成为覆盖所述元件隔离部的上表面及所述元件隔离部与所述第一半导体层的边界。

2.如权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述抗蚀图案形成为在距所述边界在所述第一半导体层方向上0nm以上且5nm以下的范围内覆盖所述第一半导体层。

3.如权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述(d)工序包括：

(d1)工序，以所述抗蚀图案作为掩膜，以离子注入的方式注入所述第一杂质，在俯视时被所述元件隔离部包围的所述半导体衬底的中央部形成第一半导体区域；以及

(d2)工序，以所述抗蚀图案作为掩膜，沿倾斜方向以离子注入的方式注入所述第一杂质，在俯视时被所述元件隔离部包围的所述半导体衬底的端部形成第二半导体区域。

4.如权利要求3所述半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述抗蚀图案形成为距所述边界在所述第一半导体层方向上离开5nm以上，覆盖所述第一半导体层。

5.如权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第一杂质是砷或者磷。

6.如权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第一绝缘膜的厚度是10nm以上且20nm以下，所述第一半导体层的厚度是10nm以上且20nm以下。

7.如权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述边界处的所述元件隔离部的所述第二绝缘膜的上表面位于比所述第一绝缘膜的上表面高的位置。

8.如权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述(f)工序之后还包括：

(g)工序，利用外延生长法，在所述第一半导体层的露出了的上表面和侧面形成第二半导体层；

(h)工序，去除位于所述元件隔离部的上表面的所述第二半导体层；以及

(i)工序，以离子注入的方式向所述第二半导体层和所述第二半导体层下方的所述第一半导体层注入第二杂质，来形成源极/漏极。

9.如权利要求8所述半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述(h)工序中，将形成于所述第一半导体层的侧面的所述第二半导体层去除。

10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

(a)工序，准备SOI衬底，该SOI衬底具有半导体衬底、所述半导体衬底上的第一绝缘膜及所述第一绝缘膜上的第一半导体层；

(b)工序，在所述第一半导体层和所述第一绝缘膜形成了开口部之后，在所述开口部下方的所述半导体衬底形成槽；

(c)工序，形成元件隔离部，该元件隔离部由被埋入至所述开口部和所述槽的内部的第二绝缘膜构成；

(d)工序，经由所述第一半导体层和所述第一绝缘膜，以离子注入的方式向被所述元件隔离部包围的所述半导体衬底注入第一杂质，在所述半导体衬底形成半导体区域；

(e)工序，在所述第一半导体层上形成栅极绝缘膜；

(f)工序，在所述栅极绝缘膜上形成栅电极；

(g)工序，利用外延生长法，在所述第一半导体层的露出的上表面及侧面形成第二半导体层；

(h)工序，去除位于所述元件隔离部的上表面的所述第二半导体层；以及

(i)工序，以离子注入的方式向所述第二半导体层和所述第二半导体层下方的所述第一半导体层注入第二杂质，来形成源极/漏极。

11.如权利要求10所述半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述(h)工序中，形成于所述第一半导体层的侧面的所述第二半导体层被去除。