[发明专利]基于FinFET晶体管的电流模RM或非-异或单元电路

权利要求书

1.一种基于FinFET晶体管的电流模RM或非-异或单元电路，其特征在于包括第一P型FinFET管、第二P型FinFET管、第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管、第六N型FinFET管和第七N型FinFET管，所述的第一P型FinFET管和所述的第二P型FinFET管分别为低阈值P型FinFET管，所述的第一N型FinFET管、所述的第二N型FinFET管、所述的第三N型FinFET管、所述的第四N型FinFET管、所述的第五N型FinFET管和所述的第七N型FinFET管为低阈值N型FinFET管，所述的第六N型FinFET管为高阈值N型FinFET管；

所述的第一P型FinFET管的源极和所述的第二P型FinFET管的源极均接入电源，所述的第一P型FinFET管的前栅、所述的第一P型FinFET管的背栅、所述的第二P型FinFET管的前栅和所述的第二P型FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的电流模RM或非-异或单元电路的第一控制端，所述的第一P型FinFET管的漏极、所述的第一N型FinFET管的漏极和所述的第三N型FinFET管的漏极连接且其连接端为所述的电流模RM或非-异或单元电路的输出端，用于输出或非-异或逻辑信号，所述的第二P型FinFET管的漏极、所述的第二N型FinFET管的漏极和所述的第四N型FinFET管的漏极连接，所述的第一N型FinFET管的源极、所述的第二N型FinFET管的源极和所述的第五N型FinFET管的漏极连接，所述的第三N型FinFET管的源极、所述的第四N型FinFET管的源极和所述的第六N型FinFET管的漏极连接，所述的第五N型FinFET管的源极、所述的第六N型FinFET管的源极和所述的第七N型FinFET管的漏极连接，所述的第七N型FinFET管的源极接地，所述的第七N型FinFET管的前栅和所述的第七N型FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的电流模RM或非-异或单元电路的第二控制端，所述的第五N型FinFET管的背栅为所述的电流模RM或非-异或单元电路的第一输入端，接入第一输入信号，所述的第五N型FinFET管的前栅为所述的电流模RM或非-异或单元电路的第二输入端，接入第二输入信号，所述的第二N型FinFET管的前栅、所述的第二N型FinFET管的背栅、所述的第三N型FinFET管的前栅和所述的第三N型FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的电流模RM或非-异或单元电路的第三输入端，接入第三输入信号，所述的第六N型FinFET管的前栅为所述的电流模RM或非-异或单元电路的第一反相输入端，接入第一输入信号的反相信号，所述的第六N型FinFET管的背栅为所述的电流模RM或非-异或单元电路的第二反相输入端，接入第二输入信号的反相信号，所述的第一N型FinFET管的前栅、所述的第一N型FinFET管的背栅、所述的第四N型FinFET管的前栅和所述的第四N型FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的电流模RM或非-异或单元电路的第三反相输入端，接入第三输入信号的反相信号；

所述的第一P型FinFET管和所述的第二P型FinFET管的阈值电压均为0.17V，所述的第一N型FinFET管、所述的第二N型FinFET管、所述的第三N型FinFET管、所述的第四N型FinFET管和所述的第七N型FinFET管的阈值电压为0.33V；所述的第五N型FinFET管的阈值电压为0.47v，所述的第六N型FinFET管的阈值电压为0.70v。

2.根据权利要求1所述的一种基于FinFET晶体管的电流模RM或非-异或单元电路，其特征在于所述的第一P型FinFET管鳍的个数为1，所述的第二P型FinFET管鳍的个数为1，所述的第一N型FinFET管鳍的个数为2，所述的第二N型FinFET管鳍的个数为2，所述的第三N型FinFET管鳍的个数为2，所述的第四N型FinFET管鳍的个数为2，所述的第五N型FinFET管鳍的个数为4，所述的第六N型FinFET管鳍的个数为6，所述的第七N型FinFET管鳍的个数为6。