[发明专利]阵列基板及显示面板有效
申请号: | 201710257771.2 | 申请日: | 2017-04-19 |
公开(公告)号: | CN106997883B | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 霍思涛;冷传利 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L23/00 |
代理公司: | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
设置于所述基板上的第一无机层;
设置于所述第一无机层上的多个薄膜晶体管;
其中,所述薄膜晶体管包括层叠设置的第二无机层和第三无机层;在相邻两个所述薄膜晶体管之间,设置有至少一个贯穿所述第一无机层和所述第二无机层的第一凹槽;在所述薄膜晶体管与所述第一凹槽之间,设置有至少一个贯穿所述第三无机层的第二凹槽;在所述薄膜晶体管同一侧的所述第一凹槽和所述第二凹槽之间,所述第一无机层背离所述基板的一侧、所述第二无机层背离所述第一无机层的一侧或所述基板上设置有第一有机层,所述第三无机层覆盖所述第一有机层;
在所述薄膜晶体管同一侧的所述第一凹槽和所述第二凹槽之间,所述第一有机层设置在所述第二无机层背离所述基板的一侧,且所述第一有机层设置有至少一个第一孔洞,所述第三无机层覆盖所述第一有机层,并填充所述第一孔洞,且所述第三无机层通过所述第一孔洞与所述第二无机层接触;或者,
在所述薄膜晶体管同一侧的所述第一凹槽和所述第二凹槽之间,所述第一无机层背离所述基板的一侧设置有所述第一有机层,且
所述第二无机层上设置有至少一个贯穿所述第二无机层的第二孔洞,所述第一有机层填充所述第二孔洞,所述第三无机层覆盖所述第一有机层以及所述第二孔洞周围的第二无机层;或者,
在所述薄膜晶体管同一侧的所述第一凹槽和所述第二凹槽之间,所述基板上设置有所述第一有机层,所述第一有机层与所述薄膜晶体管位于所述基板的同一侧,且
所述第二无机层和所述第一无机层上设置有至少一个贯穿所述第二无机层和所述第一无机层的第二孔洞,所述第一有机层填充所述第二孔洞,所述第三无机层覆盖所述第一有机层以及所述第二孔洞周围的第二无机层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
若在所述薄膜晶体管同一侧的所述第一凹槽和所述第二凹槽之间,所述第一有机层设置在所述第二无机层背离所述基板的一侧,且所述第一有机层设置有至少一个第一孔洞,所述第三无机层覆盖所述第一有机层,并填充所述第一孔洞,且所述第三无机层通过所述第一孔洞与所述第二无机层接触;
所述第一孔洞的宽度小于或等于5μm。
3.根据权利要求1-2任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一有机层填充所述第一凹槽。
4.根据权利要求1-2任意一项所述的阵列基板,其特征在于,
在相邻两个所述薄膜晶体管之间,设置有至少两个贯穿所述第一无机层和所述第二无机层的第一凹槽;
围绕每一个所述第一凹槽,所述第一无机层、所述第二无机层以及所述第三无机层直接接触,形成一个由无机材料构成的阻隔层,所述阻隔层与所述第一凹槽一一对应。
5.根据权利要求1-2任意一项所述的阵列基板,其特征在于,
在相邻两个所述薄膜晶体管之间,设置有至少两个贯穿所述第一无机层和所述第二无机层的第一凹槽;
围绕所有的所述第一凹槽,所述第一无机层、所述第二无机层以及所述第三无机层直接接触,形成一个由无机材料构成的阻隔层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一有机层的材料为聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述薄膜晶体管背离所述第一凹槽的一侧至紧邻所述第二凹槽的所述第一凹槽边缘的距离小于或等于包括所述阵列基板的柔性显示装置的厚度的10倍。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一凹槽和/或所述第二凹槽的形状为条状。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,
所述阵列基板还包括沿第一方向延伸的扫描线,以及沿第二方向延伸的数据线,条状的所述第一凹槽和/或所述第二凹槽与所述扫描线或所述数据线的延伸方向相同;
所述第一方向与所述第二方向交叉。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的