[发明专利]一种制氢电路和富氢足浴盆有效

专利信息
申请号: 201710254793.3 申请日: 2017-04-18
公开(公告)号: CN106906482B 公开(公告)日: 2018-11-02
发明(设计)人: 李士刚;陆旭东;邱胜 申请(专利权)人: 深圳氢爱天下健康科技控股有限公司
主分类号: C25B1/04 分类号: C25B1/04;C25B9/04;C25B15/02;A61H33/02
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 毕翔宇
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电路 富氢足 浴盆
【说明书】:

发明实施例公开了一种制氢电路和富氢足浴盆,其中制氢电路包括:第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、Mos管、开关;其中,所述第一电阻的一端连接所述Mos管的G极和所述第二电阻的一端;所述第二电阻的另一端接地;所述Mos管的D极连接所述第一二极管的负极;所述Mos管的S极连接所述第一二极管的正极;所述第一二极管的正极与所述Mos管的S极接地;所述Mos管的D极还连接所述第二二极管的正极以及所述开关的一端;所述第二二极管的负极连接所述开关的另一端。以此来进行制氢操作,并在足浴盆中使用该制氢操作所生成的富氢水,通过富氢水来沐足,提供了更好的养生保健效果。

技术领域

本发明涉及养生保健领域,特别涉及一种制氢电路和富氢足浴盆。

背景技术

现在随着人们生活品质的不断提高,对于健康养生的关注度也越来越高,人们越来越注重自身的健康,而目前的足浴盆只能提供简单的加热沐足功能,无法提供更好的健康服务,导致用户的体验不好。

发明内容

针对现有技术中的缺陷,本发明提出了一种制氢电路和富氢足浴盆,用以通过富氢水来沐足,提供了更好的养生保健效果。

具体的,本发明公开了以下具体的实施例:

本发明实施例提出了一种制氢电路,包括:第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、Mos管、开关;其中,所述第一电阻的一端连接所述Mos管的G极和所述第二电阻的一端;

所述第二电阻的另一端接地;

所述Mos管的D极连接所述第一二极管的负极;所述Mos管的S极连接所述第一二极管的正极;所述第一二极管的正极与所述Mos管的S极接地;

所述Mos管的D极还连接所述第二二极管的正极以及所述开关的一端;所述第二二极管的负极连接所述开关的另一端。

在一个具体的实施例中,所述开关具体为继电器。

在一个具体的实施例中,所述第一电阻与所述第二电阻的电阻值相同。

在一个具体的实施例中,所述第一电阻和/或所述第二电阻具体为可变电阻。

在一个具体的实施例中,所述Mos管具体为:N型金氧半场效晶体管。

在一个具体的实施例中,所述第一二极管具体为锗二极管。

在一个具体的实施例中,所述第二二极管具体为硅二极管。

在一个具体的实施例中,还包括:加热控制电路;其中所述加热控制电路包括:第三电阻、第四电阻、第三二极管、第四二极管、第二Mos管、第二开关;其中,所述第三电阻的一端连接所述第二Mos管的G极和所述第四电阻的一端;

所述第四电阻的另一端接地;

所述第二Mos管的D极连接所述第三二极管的负极;所述第二Mos管的S极连接所述第三二极管的正极;所述第三二极管的正极与所述第二Mos管的S极接地;

所述第二Mos管的D极还连接所述第四二极管的正极以及所述第二开关的一端;所述第四二极管的负极连接所述第二开关的另一端。

在一个具体的实施例中,还包括:气泡控制电路;其中,所述气泡控制电路包括:第五电阻、第六电阻、第五二极管、第六二极管、第三Mos管、第三开关;其中,所述第五电阻的一端连接所述第三Mos管的G极和所述第六电阻的一端;

所述第六电阻的另一端接地;

所述第三Mos管的D极连接所述第五二极管的负极;所述第三Mos管的S极连接所述第五二极管的正极;所述第五二极管的正极与所述第三Mos管的S极接地;

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