[发明专利]一种制氢电路和富氢足浴盆有效
| 申请号： | 201710254793.3 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN106906482B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李士刚;陆旭东;邱胜 | 申请（专利权）人： | 深圳氢爱天下健康科技控股有限公司 |
| 主分类号： | C25B1/04 | 分类号： | C25B1/04;C25B9/04;C25B15/02;A61H33/02 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 毕翔宇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电路 富氢足 浴盆 | ||
1.一种制氢电路，其特征在于，包括：第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、Mos管、开关；其中，所述第一电阻的一端连接所述Mos管的G极和所述第二电阻的一端；
所述第二电阻的另一端接地；
所述Mos管的D极连接所述第一二极管的负极；所述Mos管的S极连接所述第一二极管的正极；所述第一二极管的正极与所述Mos管的S极接地；
所述Mos管的D极还连接所述第二二极管的正极以及所述开关的一端；所述第二二极管的负极连接所述开关的另一端。
2.如权利要求1所述的制氢电路，其特征在于，所述开关具体为继电器。
3.如权利要求1所述的制氢电路，其特征在于，所述第一电阻与所述第二电阻的电阻值相同。
4.如权利要求1所述的制氢电路，其特征在于，所述第一电阻和/或所述第二电阻具体为可变电阻。
5.如权利要求1所述的制氢电路，其特征在于，所述Mos管具体为：N型金氧半场效晶体管。
6.如权利要求1所述的制氢电路，其特征在于，所述第一二极管具体为锗二极管。
7.如权利要求1所述的制氢电路，其特征在于，所述第二二极管具体为硅二极管。
8.如权利要求1所述的制氢电路，其特征在于，还包括：加热控制电路；其中所述加热控制电路包括：第三电阻、第四电阻、第三二极管、第四二极管、第二Mos管、第二开关；其中，所述第三电阻的一端连接所述第二Mos管的G极和所述第四电阻的一端；
所述第四电阻的另一端接地；
所述第二Mos管的D极连接所述第三二极管的负极；所述第二Mos管的S极连接所述第三二极管的正极；所述第三二极管的正极与所述第二Mos管的S极接地；
所述第二Mos管的D极还连接所述第四二极管的正极以及所述第二开关的一端；所述第四二极管的负极连接所述第二开关的另一端。
9.如权利要求1所述的制氢电路，其特征在于，还包括:气泡控制电路；其中，所述气泡控制电路包括：第五电阻、第六电阻、第五二极管、第六二极管、第三Mos管、第三开关；其中，所述第五电阻的一端连接所述第三Mos管的G极和所述第六电阻的一端；
所述第六电阻的另一端接地；
所述第三Mos管的D极连接所述第五二极管的负极；所述第三Mos管的S极连接所述第五二极管的正极；所述第五二极管的正极与所述第三Mos管的S极接地；
所述第三Mos管的D极还连接所述第六二极管的正极以及所述第三开关的一端；所述第六二极管的负极连接所述第三开关的另一端。
10.一种富氢足浴盆，其特征在于，包括如权利要求1-9中任意一项所述的制氢电路。
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