[发明专利]一种多晶硅自动进料系统及其进料方法

说明书

本发明提供一种多晶硅自动进料系统及其进料方法。多晶硅自动进料系统括：控制装置、驱动装置以及进料装置，所述控制装置分别与所述驱动装置和所述进料装置通讯连接，所述驱动装置与所述进料装置连接，且所述进料装置包括投料口。多晶硅自动进料方法包括：所述控制装置控制所述驱动装置带动所述进料装置运动，以使所述进料装置的投料口对准填料位置；且所述控制装置控制所述进料装置通过所述投料口将多晶硅投放至所述填料位置。本发明，一方面克服了人工填料所带来的填料效率低填料不致密的问题，另一方面也避免了人工填料所造成的待填料容器破损以及物料受到污染的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种多晶硅自动进料系统及其进料方法。

背景技术

在半导体制造领域，将高纯度的多晶硅置入坩埚内制成单晶硅，为单晶硅的一种普遍制造方法。

图1为现有的一种多晶硅人工填料示意图，如图1所示，根据多晶硅的大小，通常将多晶硅分为中型料101、大型料102以及小型料103。现有的填料方式一般为：人工105依次将中型料101、大型料102、小型填料103置于坩埚104内，即，中型料101首先填充在坩埚104的底部，然后大型料102填充在中型料101之上，最后小型料103填充在大型料102之上。

但是，上述人工填料方法，在操作人员不够熟练的情况下，易造成填料不致密，导致坩埚104的空间利用率不高。特别的，若操作人员误将大型料102填充在坩埚104的顶部，也即，将大型料102填充在了应该填小型料103的位置处，那么在物料融化过程中，小型料103率先溶解成液体，而大型料102由于尺寸较大将最后被溶解，如此一来，大型料102会从坩埚104的顶部直接落至坩埚104的底部，易造成坩埚104破裂。此外，填料过程中，物料易受到来自操作人员手上的钠、钾等金属元素的污染，降低物料的纯净度，影响产品的质量。另外，这种人工填料方法，效率也不高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多晶硅自动进料系统及其进料方法，以解决现有技术中填料效率低、填料不致密以及易造成被填料容器损坏的问题中的一个或多个。

为了实现上述目的以及其它目的，本发明提供了一种多晶硅自动进料系统，包括控制装置、驱动装置以及进料装置；

所述控制装置分别与所述驱动装置和所述进料装置通讯连接，所述驱动装置与所述进料装置连接，且所述进料装置包括一投料口；

其中，所述驱动装置在所述控制装置控制下带动所述进料装置运动，所述进料装置在所述控制装置控制下通过所述投料口释放多晶硅。

可选的，所述进料装置包括多个投料口为多个，不同规格的多晶硅通过对应的一个投料口释放。

可选的，所述多晶硅自动进料系统还包括多个料箱，每个所述投料口接通一个所述料箱，且每个所述料箱用于存储一种多晶硅。

可选的，所述多晶硅自动进料系统还包括一个具有多个分格的料箱，每个所述分格分别接通一个投料口，且每个所述分格用于存储一种多晶硅。

可选的，所述进料装置还包括料盘，所述料盘与所述驱动装置相连接；所述料盘具有相对的上表面以及下表面，且所述料箱设置在所述上表面上，所述投料口设置在所述下表面上。

可选的，所述投料口能够在其轴线方向上伸缩。

可选的，所述投料口连接有挡板，所述挡板能够通过运动实现所述投料口的开闭。

可选的，所述投料口的出口端还连接有引导板，所述引导板与所述投料口的轴线方向呈大于0°且小于90°的夹角。

可选的，所述投料口能够自转。

可选的，所述投料口能够自转。

进一步地，本发明还提供了一种多晶硅自动进料方法，包括：