[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201710253971.0 | 申请日: | 2017-04-18 |
公开(公告)号: | CN107146794B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 杜海波 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,该阵列基板的制作方法包括:提供一基板;在基板上制作第一功能层;在第一功能层上制作第一金属层,并在第一金属层上定义出第一类电极条以及第二类电极条;其中,第一类电极条将第二类电极条隔断;在第一金属层上制作第二功能层,并在第二功能层上形成多个沿第二功能层厚度方向的第一通孔;在第二功能层上制作第二金属层,并在第二金属层上定义出第三类电极条;其中,第三类电极条通过第一通孔将隔断的第二类电极条连接,以形成完整的第二类电极条。通过上述方式,本发明能够避免了分别利用两层金属分别制作栅线和数据线的繁琐工序,降低了成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
液晶显示器(LCD)的构造是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶盒,下基板玻璃上设置TFT(薄膜晶体管),上基板玻璃上设置彩色滤光片,通过TFT上的信号与电压改变来控制液晶分子的转动方向,从而达到控制每个像素点偏振光出射与否而达到显示目的。
其中,TFT可分为多晶硅(Poly-Si)与非晶硅(a-Si)两种类型,两者的差异在于电晶体特性不同。低温多晶硅技术LTPS(Low Temperature Poly-silicon)的有源层则是采用非晶硅(a-Si)经ELA(激光退火)等工艺制作的。
在低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管(TFT)触控(Touch)工艺中,通常需要使用金属形成栅极、源漏极、触控电极等必要的导线图案,常规作业中,每一层金属图案的形成均需进行洗净、镀膜、黄光、蚀刻、去胶等工序作业,由于工序较多,产品生产成本也较高。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置,能够避免了分别利用两层金属分别制作栅线和数据线的繁琐工序,降低了成本。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板的制作方法,该方法包括:提供一基板;在基板上制作第一功能层;在第一功能层上制作第一金属层,并在第一金属层上定义出第一类电极条以及第二类电极条;其中,第一类电极条将第二类电极条隔断;在第一金属层上制作第二功能层,并在第二功能层上形成多个沿第二功能层厚度方向的第一通孔;在第二功能层上制作第二金属层,并在第二金属层上定义出第三类电极条;其中,第三类电极条通过第一通孔将隔断的第二类电极条连接,以形成完整的第二类电极条。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种阵列基板,该阵列基板包括:基板;第一功能层,设置于基板上方;第一金属层,设置于第一功能层上方,包括第一类电极条和第二类电极条;其中,第一类电极条将第二类电极条隔断;第二功能层,设置于第一金属层上方,包括多个沿第二功能层厚度方向的第一通孔;第二金属层,设置于第二功能层上方,包括第三类电极条;其中,第三类电极条通过第一通孔将隔断的第二类电极条连接,以形成完整的第二类电极条。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种显示装置,该显示装置包括显示面板和背光,显示面板包括阵列基板、彩膜基板以及阵列基板和彩膜基板之间的液晶层,其中,阵列基板是如上述提供的阵列基板,或由上述提供的阵列基板的制作方法制作得到的阵列基板。
本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明提供的阵列基板的制作方法包括:提供一基板;在基板上制作第一功能层;在第一功能层上制作第一金属层,并在第一金属层上定义出第一类电极条以及第二类电极条;其中,第一类电极条将第二类电极条隔断;在第一金属层上制作第二功能层,并在第二功能层上形成多个沿第二功能层厚度方向的第一通孔;在第二功能层上制作第二金属层,并在第二金属层上定义出第三类电极条;其中,第三类电极条通过第一通孔将隔断的第二类电极条连接,以形成完整的第二类电极条。通过上述方法,将数据线和栅线在同一金属层中制作,避免了分别利用两层金属分别制作栅线和数据线的繁琐工序,降低了成本。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的