[发明专利]使用存储装置的方法、存储装置和存储装置组件

说明书

在各种实施方式中，提供了一种使用存储装置的方法、存储装置和存储装置组件。方法可以包括：将数据单元、第一码的校验单元和第二码的校验单元存储在存储装置的存储单元中，其中，数据单元和第一码的校验单元形成第一码的码字，并且其中，数据单元和第二码的校验单元形成第二码的码字；将用于错误校正的第二码应用于数据单元的至少一部分中和/或第一码的校验单元的至少一部分中；在校正错误之后，保留数据单元和第一码的校验单元的至少保留部分，并且删除第二码的校验单元的至少删除部分，从而释放被第二码的校验单元的删除部分所占用的存储单元；以及在存储装置的后续使用期间，将数据存储在所释放的存储单元的至少重用部分中。

技术领域

各种实施方式一般涉及一种校正存储装置中的错误的方法、存储装置及存储装置组件。

背景技术

诸如非易失性存储装置(例如，包括RRAM(阻变随机存储器)存储单元的RRAM存储装置，其也称为RRAM单元)这样的存储装置在施加高温应力时通常可能不是非常稳定。这意味着RRAM存储单元丢失其信息的概率可能随温度而急剧上升。在典型的消费者和工业应用中，在存储装置或可以包括存储装置的芯片的使用寿命期间，最大温度可以限于RRAM可接受的值。然而，当组装板时，封装芯片通常可能必须被焊接。在焊接期间，通常260℃的温度会使用长达几分钟。

在焊接期间施加的这个温度可能在存储装置中引起高到会导致不可接受的RRAM数据丢失概率的应力。

发明内容

在各种实施方式中，提供一种使用存储装置的方法。该方法可以包括：在存储装置的存储单元中存储数据单元、第一码的校验单元和第二码的校验单元，其中，数据单元和第一码的校验单元形成第一码的码字，并且其中，数据单元和第二码的校验单元形成第二码的码字；将用于错误校正的第二码应用于数据单元的至少一部分中和/或第一码的校验单元的至少一部分中；在校正错误之后，保留数据单元和第一码的校验单元中的至少保留部分，并且删除第二码的校验单元的至少删除部分，从而释放被第二码的校验单元的删除部分占用的存储单元；以及在后续使用存储装置期间，将数据存储在所释放的存储单元的至少重用部分中。

附图说明

在附图中，相似的附图标记在不同视图中通常指代相同的部分。附图不一定按比例绘制，而是将重点通常放在说明本发明的原理上。在下面的描述中，参考以下附图描述了本发明的各种实施方式，在附图中：

图1示出了根据各种实施方式的存储装置的示意图；

图2示出了根据各种实施方式的图1的存储装置在其使用的两个阶段期间的示意图；

图3A至图3F示出了根据各种实施方式的存储装置在其使用的不同阶段期间的示意图；

图4A和图4B示出了根据各种实施方式的存储装置在其使用的不同阶段期间的示意图；

图5示出了存储单元的电阻的示例性数量分布和分配的值；

图6A和图6B各自示出了根据各种实施方式的存储装置组件；以及

图7示出了根据各种实施方式的使用存储装置的方法的处理流程。

具体实施方式

以下详细描述参考附图，附图通过说明示出了可以实践本发明的具体细节和实施方式。

词语“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或说明”。本文描述为“示例性”的任何实施方式或设计不一定被解释为比其他实施方式或设计更为优选或有利。

提供了本公开内容的针对装置的各个方面，并且提供了本公开内容的针对方法的各个方面。应当理解，装置的基本特性也适用于方法，反之亦然。因此，出于简洁起见，可以省略这些特性的重复描述。