[发明专利]一种反射镜及曝光装置有效
| 申请号： | 201710249531.8 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN106990677B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 向琛;徐钟国;李喆元 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G02B5/08 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反射 曝光 装置 | ||
1.一种反射镜，其特征在于，包括：透明衬底基质，位于所述透明衬底基质入光表面的用于反射设定波长光线的全电介质反射膜；其中，
所述透明衬底基质中分散有能够受激发射所述设定波长光线的粒子；
所述反射镜还包括：位于所述透明衬底基质背离所述全电介质反射膜一侧的光电转换层。
2.如权利要求1所述的反射镜，其特征在于，所述全电介质反射膜包括：多层交替堆叠的第一介质层和第二介质层；
所述第一介质层的折射率均大于所述第二介质层的折射率、所述透明衬底基质的折射率以及外界环境介质的折射率；
所述透明衬底基质的折射率大于所述第二介质层的折射率。
3.如权利要求2所述的反射镜，其特征在于，与所述透明衬底基质相邻的介质层为所述第二介质层；距离所述透明衬底基质最远的介质层为所述第一介质层。
4.如权利要求2所述的反射镜，其特征在于，所述第一介质层的厚度满足以下关系式：
eH＝λ/4nH；其中，eH为所述第一介质层的厚度，λ为所述设定波长，nH为所述第一介质层的折射率；
所述第二介质层的厚度满足以下关系式：
eL＝λ/4nL；其中，eL为所述第二介质层的厚度，λ为所述设定波长，nL为所述第二介质层的折射率。
5.如权利要求1所述的反射镜，其特征在于，分散在所述透明衬底基质中的能够受激发射所述设定波长光线的所述粒子为稀有金属粒子或稀土离子。
6.如权利要求1-5任一项所述的反射镜，其特征在于，所述透明衬底基质为光学玻璃。
7.如权利要求1所述的反射镜，其特征在于，所述光电转换层包括：在所述透明衬底基质表面依次设置的N型半导体层和P型半导体层；或，
在所述透明衬底基质表面依次设置的P型半导体层和N型半导体层。
8.如权利要求7所述的反射镜，其特征在于，所述N型半导体层为N型磷掺杂单晶硅层；所述P型半导体层为P型硼掺杂单晶硅层。
9.一种曝光装置，其特征在于，包括汞灯以及位于所述汞灯出光方向的如权利要求1-8任一项所述的反射镜；所述设定波长为365nm。
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