[发明专利]双扩散漏NMOS器件及制造方法有效
| 申请号： | 201710249497.4 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN107093625B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 段文婷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩散 nmos 器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种双扩散漏NMOS器件的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：
步骤1，在P型衬底上形成N型埋层；
步骤2，在N型埋层上形成N型外延；
步骤3，光刻定义出P阱及漂移区，离子注入形成P阱及漂移区；
步骤4，硅片表面形成栅氧化层及多晶硅，光刻及刻蚀形成多晶硅栅极；
步骤5，进行源漏注入形成器件的源区及漏区；再次利用源漏注入的掩膜版进行一次P型注入形成P型掺杂层；所述P型掺杂层分别位于P阱及漂移区中，且分别位于源区、漏区的正下方，用于辅助漂移区耗尽；
步骤6，进行P型杂质注入，形成重掺杂P型区作为P阱的引出区。
2.如权利要求1所述的双扩散漏NMOS器件的工艺方法，其特征在于：所述步骤4中，采用热氧化法生成栅氧化层。
3.如权利要求1所述的双扩散漏NMOS器件的工艺方法，其特征在于：所述步骤5中，P型注入的杂质为硼，注入能量为100～300keV,注入剂量为1E12～1E14cm-2。
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