[发明专利]模压智能电源模块

说明书

一种智能电源模块具有第一、第二、第三和第四芯片焊盘，第一、第二、第三、第四、第五和第六晶体管，连接杆、低压IC、高压IC、第一、第二和第三升压二极管、多个引脚和一个模压封装。第一晶体管连接到第一芯片焊盘上。第二晶体管连接到第二芯片焊盘上。第三晶体管连接到第三芯片焊盘上。第四、第五和第六晶体管连接到第四芯片焊盘上。低压和高压IC连接到连接杆。模压封装包围着第一、第二、第三和第四芯片焊盘，第一、第二、第三、第四、第五和第六晶体管，连接杆、低压IC、高压IC、第一、第二和第三升压二极管。本发明与现有的智能电源模块相比，具有减小顶表面积以及引脚数量的优点。

技术领域

本发明主要涉及一种用于驱动电动机的模压智能电源模块(IPM)。更确切地说，本发明是关于一种模压IPM，与传统的IPM相比，减小了顶表面积，并且减少了引脚数量。

背景技术

传统的IPM使用绝缘金属衬底(IMS)。IMS通常由两个铜层嵌制而成。在本说明书中，在一个过模压型IPM中使用引线框和芯片焊盘，简化了制备工艺，降低了制备成本。用于驱动发动机的传统IPM具有三个驱动集成电路(IC)。在本说明书中，IPM具有一个低压IC和一个高压IC。

通过优化布局，获得了紧凑的封装尺寸。优化布局使用两个驱动IC，代替三个驱动IC，沿邻近的芯片焊盘引入等角的弯曲边。通过将两个驱动IC连接在同一个拉杆上，并通过接合引线将三个升压二极管连接到电源引脚上的选定引脚上，来实现减少引脚数量的目的。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于驱动电动机的模压智能电源模块，本发明提出了一种具有第一、第二、第三和第四芯片焊盘的IPM，第一、第二、第三、第四、第五和第六金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)，连接杆、低压IC、高压IC、第二和第三升压二极管、多个引脚以及一个模压封装。第一MOSFET连接到第一芯片焊盘。第二MOSFET连接到第二芯片焊盘。第三MOSFET连接到第三芯片焊盘。第四、第五和第六MOSFET连接到第四芯片焊盘。低压和高压IC连接到连接杆。模压封装密封了第一、第二和第三和第四芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六MOSFET、连接杆、低压和高压IC以及第一、第二和第三升压二极管。

至少四个通孔沿沟槽分布，隔开连接杆以及第一、第二、第三和第四芯片焊盘。这四个通孔分布在连接杆的底部边缘中间部分和第一、第二、第三和第四芯片焊盘的顶部边缘之间。通孔有助于减少湿气的形成。配置至少四个通孔，以便在模压过程中接收至少四个支持引脚。

为了实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种用于驱动发动机的模压智能电源模块，包含：一个第一、第二、第三和第四芯片焊盘；一个第一晶体管连接到第一芯片焊盘上；一个第二晶体管连接到第二芯片焊盘上；一个第三晶体管连接到第三芯片焊盘上；第五和第六晶体管连接到第四芯片焊盘上；连接杆具有第一端、第二端和中间范围延伸物；一个低压集成电路连接到连接杆；低压集成电路电连接到第一、第二和第三晶体管；一个高压集成电路连接到连接杆；高压集成电路电连接到第四、第五和第六晶体管；第二和第三升压二极管；多个引脚以及模压封装包围着第一、第二、第三和第四芯片焊盘，第一、第二、第三、第四、第五和第六晶体管，连接杆、低压集成电路、高压集成电路和第一、第二和第三升压二极管；其中多个引脚部分嵌入在模压封装中。

优选地，所述模压封装在连接杆的第一端附近设有第一缺口，以及在连接杆的第二端附近设有第二缺口。

优选地，在第一、第二和第三升压二极管附近，所述模压封装具有绝缘缺口。

优选地，所述连接杆的中间范围延伸物机械并电连接到接地引脚。

优选地，其中第一、第二、第三和第四芯片焊盘的顶部边缘是共面的；其中连接杆的底部边缘的中间部分平行于第一、第二、第三和第四芯片焊盘的顶部边缘；其中至少四个通孔在连接杆底部边缘的中间部分和第一、第二、第三、第四芯片焊盘的顶部边缘之间，并且所述至少四个通孔沿长轴方向对齐。