[发明专利]一种电荷泵电路

说明书

本发明公开了一种电荷泵电路，包括：基本电荷泵电路，用于在时钟信号的控制下将低压直流转换为第二高压输出V2，并连接至译码器模块；传输隔离电路，用于将该基本电荷泵电路的第二高压输出V2隔离输出产生一电压略低的第一高压电压V1；采样电路，用于对第一高压输出V1进行采样得到采样电压，将采样电压与一基准电压进行比较并输出数字化的时钟控制信号ENCLK至该基本电荷泵电路；译码器模块，用于在控制信号的控制下将该第二高压输出V2和第一高压输出V1分别连接至选定单元的控制栅和字线,本发明可实现第一高压输出V1和第二高压输出V2的电荷泵的共享，减少芯片面积。

技术领域

本发明涉及一种电荷泵电路，特别是涉及一种P型镜像位闪存的电荷泵电路。

背景技术

在半导体存储装置中，电可擦可编程只读存储器(EEPROM)(flash memory)是一种易失性存储器，且属于可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read-OnlyMemory，EPROM)。电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的优点是其可针对整个存储器区块进行擦除，且擦除速度快，约需一至两秒。因此，近年来，电可擦可编程只读存储器(EEPROM)已运用于各种消费性电子产品中，例如：数码相机、数码摄影机、移动电话或笔记本电脑等。

图1为现有技术中一种镜像位N型电可擦可编程只读存储器单元的结构示意图。该镜像位N型电可擦可编程只读存储器单元，包括：N型半导体衬底(P_sub)，其上设置N-Well(N阱)；第一位线BL0和第二位线BL1，分别连接于N-Well(N阱)的两侧；第一浮栅CG0与第二浮栅CG1，设置于N-Well(N阱)上方及位于第一位线BL0和第二位线BL1之间；字线WL，位于第一浮栅CG0和第二浮栅CG1之间。

现有技术之N型电可擦可编程只读存储器的闪存单元操作模式及其电压列表如下表1所示：

表1闪存单元操作模式及其电压列表(V1≤V2)

现有的电荷泵需要分别产生V1和V2，这样电路只能按照各自最大负载的情形进行设计，实际进行操作的时候V1和V2同时出现最大负载的情形很少，即便出现也可以依靠电容维持一下，这种设计则会造成面积的浪费。

发明内容

为克服上述现有技术存在的不足，本发明之目的在于提供一种电荷泵电路，以实现第一高压输出V1和第二高压输出V2的电荷泵的共享，减少芯片面积。

为达上述及其它目的，本发明提出一种电荷泵电路，包括：

基本电荷泵电路，用于在时钟信号的控制下将低压直流转换为第二高压输出V2，并连接至译码器模块；

传输隔离电路，用于将该基本电荷泵电路的第二高压输出V2隔离输出产生一电压略低的第一高压电压V1；

采样电路，用于对第一高压输出V1进行采样得到采样电压，将采样电压与一基准电压进行比较并输出数字化的时钟控制信号ENCLK至该基本电荷泵电路；

译码器模块，用于在控制信号的控制下将该第二高压输出V2和第一高压输出V1分别连接至选定单元的控制栅和字线。

进一步地，该电荷泵电路包括电荷泵和时钟电路，该电荷泵在该时钟电路的输出CLK的控制下将低压直流转换为该第二高压输出V2。

进一步地，该传输隔离电路包括一NMOS管与一PMOS管。

进一步地，该NMOS管的栅极和漏极接该第二高压输出V2，该PMOS管的源极和衬底接该第二高压输出V2，该NMOS管的源极和衬底、该PMOS管的栅极和漏极相连组成第一高压电压V1输出节点连接至该译码器模块。

进一步地，该NMOS管低阈值NMOS管。