[发明专利]一种电荷泵电路有效

专利信息
申请号: 201710247255.1 申请日: 2017-04-14
公开(公告)号: CN107068189B 公开(公告)日: 2019-12-24
发明(设计)人: 杨光军 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C16/30 分类号: G11C16/30;G11C5/14
代理公司: 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 电荷 电路
【权利要求书】:

1.一种电荷泵电路,包括:

基本电荷泵电路,为通用电路,用于在时钟信号的控制下将低压直流转换为第二高压输出V2,并连接至译码器模块,该基本电荷泵电路包括电荷泵和时钟电路,该电荷泵在该时钟电路的输出CLK的控制下将低压直流转换为该第二高压输出V2;

传输隔离电路,用于将该基本电荷泵电路的第二高压输出V2隔离输出产生一电压略低的第一高压电压V1;

采样电路,用于对第一高压输出V1进行采样得到采样电压,将采样电压与一基准电压进行比较并输出数字化的时钟控制信号ENCLK至该基本电荷泵电路;

译码器模块,用于在控制信号的控制下将该第二高压输出V2和第一高压输出V1分别连接至选定单元的控制栅和字线。

2.如权利要求1所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该传输隔离电路包括一NMOS管与一PMOS管。

3.如权利要求2所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该NMOS管的栅极和漏极接该第二高压输出V2,该PMOS管的源极和衬底接该第二高压输出V2,该NMOS管的源极和衬底、该PMOS管的栅极和漏极相连组成第一高压电压V1输出节点连接至该译码器模块。

4.如权利要求3所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该NMOS管为低阈值NMOS管。

5.如权利要求3所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该PMOS管为低阈值PMOS管。

6.如权利要求3所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该译码器模块包括控制栅译码器和字线译码器,用于在控制信号的控制下将该第二高压输出V2和第一高压输出V1分别连接至选定单元的控制栅和字线。

7.如权利要求6所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该基本电荷泵电路的电荷泵的第二高压输出V2连接至该控制栅译码器的输入端、该NMOS管的栅极和漏极、该PMOS管的源极和衬底,该NMOS管的源极和衬底、PMOS管的栅极和漏极与该字线译码器的输入端相连组成该第一高压输出V1输出节点。

8.如权利要求7所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该采样电路包括分压电路和比较器,该分压电路用于对第一高压输出V1进行采样得到采样电压,该比较器用于将该采样电压与该基准电压进行比较并输出数字化的时钟控制信号ENCLK至该基本电荷泵电路的时钟电路的控制端。

9.如权利要求8所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该NMOS管的源极和衬底、该PMOS管的栅极和漏极与该译码器模块的字线译码器的输入端以及该分压电路的输入端相连组成第一高压电压V1输出节点,该分压电路的另一输入端接地,其输出端连接至该比较器的一输入端,该比较器的另一输入端连接参考电压,该比较器的输出端连接至该时钟电路的控制端。

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