[发明专利]用于OLED蒸镀的荫罩及其制作方法、OLED面板的制作方法

说明书

一种用于OLED蒸镀的荫罩及其制作方法、OLED面板的制作方法，其中用于OLED蒸镀的荫罩包括：半导体基底，所述半导体基底包括正面和相对的背面，所述半导体基底中具有贯穿正面和背面的凹槽；位于半导体基底正面上的格栅膜层，所述格栅膜层中具有若干呈阵列排布的开口，且所述开口的上部宽度小于下部宽度，所述凹槽暴露出格栅膜层中的若干开口以及相邻开口之间的格栅膜层。本发明形成的荫罩中格栅膜层中开口的尺寸可以较小并形貌较好，将之用于蒸镀时能形成尺寸较小且形貌较好的发光单元，并且由于开口上部宽度小于下部宽度，在蒸镀过程中能极大的减小阴影效应的影响，提高开口率。

技术领域

本发明涉及OLED蒸镀领域，特别涉及一种高精度的用于OLED蒸镀的荫罩及其制作方法、OLED面板的制作方法。

背景技术

有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板同时具备自发光(不需背光源)、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广和构造及制程较简单等优点，越来越受到业界青睐。

OLED显示面板最初的彩色方案是制作显示白光的显示单元，然后再配合使用相应的彩色滤光片。这种技术方案这种技术方案需要引入彩色滤光片，由于彩色滤光片的遮挡使得约80％的显示子像素出光损耗在彩色滤光片中，使得OLED显示面板的发光功耗和亮度性能逐渐无法满足对微显示可穿戴应用的需求。此外，这种技术方案中，无法单独调制不同波长红绿蓝三种子像素的微腔腔长，而彩色滤光片的可选择性变小，因此，相应OLED显示面板的视角色偏、动静态对比度和色域广度等显示主要性能皆有较大幅度下降。

为此，业界提出直接形成三原色子像素的技术方案。这种技术方案由于不需要彩色滤光片，因此，各个子像素的出光损耗小，OLED显示面板的发光功耗和亮度性能优越。并且，这种OLED显示面板可以单独调制不同波长红绿蓝三种子像素的微腔，因此，相应OLED显示面板的大视角色偏、动静态对比度、色域广度等显示主要性能优越。

直接形成三原色子像素的技术方案在OLED显示面板生产过程中，最重要的过程之一是将有机层(发光材料)按照驱动矩阵的要求蒸镀到基板上，形成各个发光显示单元等结构。这个过程中，需要使用到金属荫罩(或掩膜) 和蒸镀源，金属荫罩中具有与待形成的若干发光单元对应的若干开口，其具体过程为请参考图1：将基板12置于蒸镀腔中；将金属荫罩13置于基板12 的表面；蒸镀源11产生的气态发光材料经过金属荫罩13上的若干开口15扩散到基板12上，在基板12上形成与若干开口15对应的发光单元16。

然而，现有采用蒸镀形成OLED面板存在子像素(发光单元)的极限尺寸仍加大，开口率仍较低的问题，无法满足小尺寸高解析度的OLED面板的要求的问题。

发明内容

本发明解决的问题是怎样减小OLED面板的极限尺寸以及提高OLED面板的开口率。

为解决上述问题，本发明提供一种用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，包括：

提供第一半导体基底，所述第一半导体基底包括正面和相对的背面；在第一半导体基底的正面上形成格栅膜层；在所述格栅膜层中形成若干呈阵列排布的开口，且所述开口上部宽度大于开口的下部宽度；提供第二半导体基底，所述第二半导体基底包括正面和相对的背面；将第二半导体基底与第一半导体基底键合，第二半导体基底的正面与第一半导体基底正面上的格栅膜层相对；沿第二半导体基底的背面刻蚀去除部分所述第二半导体基底，在第二半导体基底中形成暴露出格栅膜层中的若干开口以及相邻开口之间的格栅膜层的凹槽；去除第一半导体基底，暴露格栅膜层和格栅膜层中的开口。

可选的，所述格栅膜层的形成过程包括：形成覆盖所述第一半导体基底正面、背面和侧面表面的格栅薄膜层；在所述第一半导体基底正面的格栅薄膜层表面形成第一硬掩膜层；刻蚀去除第一半导体基底背面和侧面的格栅薄膜层，第一半导体基底的正面剩余的格栅薄膜层作为格栅膜层。