[发明专利]用于OLED蒸镀的荫罩及其制作方法、OLED面板的制作方法

权利要求书

1.一种用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一半导体基底，所述第一半导体基底包括正面和相对的背面；

在第一半导体基底的正面上形成格栅膜层；

在所述格栅膜层中形成若干呈阵列排布的开口，且所述开口上部宽度大于开口的下部宽度；

提供第二半导体基底，所述第二半导体基底包括正面和相对的背面；

将第二半导体基底与第一半导体基底键合，第二半导体基底的正面与第一半导体基底正面上的格栅膜层相对；

沿第二半导体基底的背面刻蚀去除部分所述第二半导体基底，在第二半导体基底中形成暴露出格栅膜层中的若干开口以及相邻开口之间的格栅膜层的凹槽；

去除第一半导体基底，暴露格栅膜层和格栅膜层中的开口。

2.如权利要求1所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述格栅膜层的形成过程包括：形成覆盖所述第一半导体基底正面、背面和侧面表面的格栅薄膜层；在所述第一半导体基底正面的格栅薄膜层表面形成第一硬掩膜层；刻蚀去除第一半导体基底背面和侧面的格栅薄膜层，第一半导体基底的正面剩余的格栅薄膜层作为格栅膜层。

3.如权利要求2所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述格栅膜层和格栅薄膜层具有张应力。

4.如权利要求3所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述格栅膜层和格栅薄膜层的材料为氮化硅，格栅膜层和格栅薄膜层的厚度为1～1.5微米，张应力的大小为100～400Mpa，表面粗糙度小于20纳米。

5.如权利要求4所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述具有张应力、材料为氮化硅的格栅薄膜层的形成工艺为低压炉管沉积工艺，低压炉管沉积工艺的温度大于600℃，腔室压强为0.2-7Torr，气体包括硅烷气体和NH₃，其中硅烷气体为SiH₄、SiH₂Cl₂、Si₂H₆一种或几种。

6.如权利要求2所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，在所述格栅膜层中形成若干开口的过程包括：图形化所述第一硬掩膜层；以所述图形化的第一硬掩膜层为掩膜刻蚀第一半导体基底正面的剩余的格栅膜层，在格栅膜层中形成若干呈阵列排布的开口；去除所述图形化的第一硬掩膜层。

7.如权利要求6所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述开口侧壁的倾斜角度为40°～80°，所述开口的尺寸为2到20微米。

8.如权利要求1或3所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述格栅膜层的材料为氧化硅或氮氧化硅。

9.如权利要求1所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，在进行键合之前，还包括：形成覆盖第二半导体基底背面和侧面的第二硬掩膜层；在第二半导体基底的正面形成键合层。

10.如权利要求9所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述键合层的材料为氧化硅。

11.如权利要求9所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述凹槽的形成过程包括：在第二半导体基底背面的第二硬掩膜层表面形成图形化的第二光刻胶层；以所述图形化的第二光刻胶层为掩膜，刻蚀第二半导体基底背面的第二硬掩膜层，然后沿第二半导体基底的背面刻蚀第二半导体基底和键合层，在半导体基底和键合层中形成暴露出格栅膜层中的若干开口以及相邻开口之间的格栅膜层的凹槽。

12.如权利要求11所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，刻蚀第二半导体基底的同时，去除所述第一半导体基底。