[发明专利]有机薄膜晶体管的制作方法

说明书

本发明公布了一种有机薄膜晶体管的制作方法，包括：在金属基板的表面形成石墨烯层；覆盖有机溶液于所述石墨烯层的表面，并加热所述石墨烯层以在所述石墨烯层表面形成有机半导体纳米线；转移所述有机半导体纳米线至目标基板。在金属基板表面大规模形成石墨烯层，以石墨烯层为基底大规模生长有机半导体纳米线(单晶半导体)，有机半导体纳米线转印于目标基板后形成有机薄膜晶体管的有机半导体层，大面积的金属基板表面可以一次性形成大量的有机半导体纳米线，可以快速、高质量的将金属基板的有机半导体纳米线大规模的转移到目标基板，降低制作过程耗时，满足大规模生产需求，显示设备的产能高，降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种有机薄膜晶体管的制作方法。

背景技术

随着显示技术的不断进步，柔性显示装置逐渐步入市场，柔性显示设备新颖的外观对用户具有极大的吸引力。薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)位于柔性显示设备的阵列基板上，并且是控制有机发光二极体(Organic Light Emitting Diode，OLED)工作的重要器件，有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor，OTFT)是利用有机材料制作而成的薄膜晶体管，相较于基于低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)TFT或铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)TFT的柔性OLED显示装置，基于OTFT的柔性OLED显示装置由于采用了柔性远强于无机材料(硅半导体或金属氧化物半导体)的有机材料，不会出现经过多次弯折后发生裂纹的情况，大幅提高了柔性显示装置耐受弯折的能力，故OTFT良好的弯折特性使它在柔性显示领域能够取代无机TFT。

现有技术中，OTFT的制作采用真空沉淀或溶液处理的方式，制作过程耗时较长，生产规模小，受到制作工艺和设备的限制导致无法进行大规模生产，导致显示设备的产能低，增加了生产成本。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种有机薄膜晶体管的制作方法，用以解决现有技术中OTFT的制作受到制作工艺和设备的限制导致无法进行大规模生产，导致显示设备的产能低，增加了生产成本的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种有机薄膜晶体管的制作方法，包括：

在金属基板的表面形成石墨烯层；

覆盖有机溶液于所述石墨烯层的表面，并加热所述石墨烯层以在所述石墨烯层表面形成有机半导体纳米线；

转移所述有机半导体纳米线至目标基板。

进一步，所述“在金属基板的表面形成石墨烯层”的步骤包括：采用甲烷气体和氢气在不低于1000℃的环境温度下化学气相沉积于所述金属基板的表面，所述金属基板为铜基板。

进一步，所述有机溶液为9,10-双苯乙炔基蒽和二甲基甲酰胺的混合溶液。

进一步，所述有机溶液中，9,10-双苯乙炔基蒽的浓度为0.004摩尔/升至0.012摩尔/升。

进一步，所述加热所述石墨烯层的温度不高于50℃，加热时间不少于48小时。

进一步，转移所述有机半导体纳米线时，多个所述有机半导体纳米线同时以转印方式形成一个有机半导体纳米线组，每个所述有机半导体纳米线组对应一对源极和漏极。

进一步，所述转印方式为卷对卷转印或卷对面转印。

进一步，所述目标基板包括依次形成层叠设置的栅极电极、栅极绝缘层、源极及漏极。

进一步，所述目标基板包括依次层叠设置的栅极电极及栅极绝缘层；在所述“转移所述有机半导体纳米线至目标基板”步骤之后，所述方法还包括在所述有机半导体纳米线背离所述栅极绝缘层一侧形成源极和漏极。