[发明专利]有机薄膜晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

采用甲烷气体和氢气在不低于1000℃的环境温度下化学气相沉积于金属基板的表面，形成石墨烯层；

覆盖有机溶液于所述石墨烯层的表面，并加热所述石墨烯层以在所述石墨烯层表面形成有机半导体纳米线，所述有机溶液为9,10-双苯乙炔基蒽和二甲基甲酰胺的混合溶液，所述有机溶液中，9,10-双苯乙炔基蒽的浓度为0.004摩尔/升至0.012摩尔/升，所述加热所述石墨烯层的温度不高于50℃，加热时间不少于48小时；

转移所述有机半导体纳米线至目标基板。

2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，转移所述有机半导体纳米线时，多个所述有机半导体纳米线同时以转印方式形成一个有机半导体纳米线组。

3.根据权利要求2所述的有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述转印方式为卷对卷转印或卷对面转印。

4.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述目标基板包括依次形成层叠设置的栅极电极、栅极绝缘层、源极及漏极。

5.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述目标基板包括依次层叠设置的栅极电极及栅极绝缘层；在所述“转移所述有机半导体纳米线至目标基板”步骤之后，所述方法还包括在所述有机半导体纳米线背离所述栅极绝缘层一侧形成源极和漏极。

6.根据权利要求4或5所述的有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述“转移所述有机半导体纳米线至目标基板”步骤之后，所述方法还包括蚀刻所述有机半导体纳米线以形成半导体沟道。