[发明专利]提高集成电路可靠性的方法

权利要求书

1.一种提高集成电路可靠性的方法，其特征在于，首先，在晶片的导电插塞化学机械抛光完整步骤完成之后，将所述晶片从化学机械抛光机台移动到冲洗机台，并采用所述冲洗机台的冲洗设备对所述晶片表面进行冲洗，并在所述冲洗完成时待所述冲洗设备关闭后才转移所述晶片；然后，待所述晶片的表面干燥后，在所述晶片的表面上继续形成后续层；

其中，所述导电插塞的材质包括钨，所述晶片的导电插塞化学机械抛光完整步骤包括：所述晶片的导电插塞化学机械抛光步骤以及所述抛光后的表面板刷擦洗步骤，所述板刷擦洗步骤包括：先使用滚筒海绵板刷对所述晶片表面进行擦洗，以将晶片表面残留的钨氧化物溶解为可溶性钨盐，然后使用铅笔海绵板刷并采用去离子水对所述晶片表面进行擦洗，以去除经过滚筒海绵板刷擦洗所形成的大部分的可溶性钨盐，所述冲洗用于去除晶片表面上残留的混有可溶性钨盐的去离子水。

2.如权利要求1所述的提高集成电路可靠性的方法，其特征在于，所述滚筒海绵板刷和铅笔海绵板刷分别安装在所述导电插塞化学机械抛光步骤所使用的设备的不同清洁臂上，且所述设备的左右两侧均设置带有滚筒海绵板刷和铅笔海绵板刷的清洁臂。

3.如权利要求2所述的提高集成电路可靠性的方法，其特征在于，对所述晶片表面进行擦洗时，所述晶片旋转，所述滚筒海绵板刷和铅笔海绵板刷分别在所述晶片表面上下移动和左右平移。

4.如权利要求1所述的提高集成电路可靠性的方法，其特征在于，对所述晶片表面进行冲洗时，采用的冲洗剂为去离子水，采用的冲洗设备为无清洁海绵板刷的喷嘴，所述喷嘴位于所述晶片表面上方，能够在晶片表面上方平移。

5.如权利要求4所述的提高集成电路可靠性的方法，其特征在于，所述去离子水的水压为1MPa～5MPa。

6.如权利要求1所述的提高集成电路可靠性的方法，其特征在于，对所述晶片表面进行冲洗的时间为10s～50s。

7.如权利要求1所述的提高集成电路可靠性的方法，其特征在于，待所述晶片的表面干燥后，在所述晶片的表面上继续形成后续层的步骤包括：

在所述晶片的表面上沉积金属层，并通过光刻和刻蚀去除部分金属层，剩余的金属层的下表面接触所述导电插塞的上表面，且所述剩余的金属层为焊垫或者互连金属线；

在所述晶片和剩余的金属层表面上形成介质层，平坦化所述介质层上表面。

8.如权利要求7所述的提高集成电路可靠性的方法，其特征在于，所述金属层的材质为铝或铜。

9.如权利要求1所述的提高集成电路可靠性的方法，其特征在于，待所述晶片的表面干燥后，在所述晶片的表面上继续形成后续层的步骤包括：

在所述晶片的表面上依次沉积刻蚀阻挡层和层间介质层；

刻蚀所述层间介质层和刻蚀阻挡层直至暴露出所述导电插塞的上表面，以形成沟槽；

在所述层间介质层以及所述沟槽表面沉积金属层，并平坦化所述金属层上表面。

10.如权利要求9所述的提高集成电路可靠性的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材质包括氮化硅，所述层间介质层的材质包括氧化硅。

11.如权利要求9所述的提高集成电路可靠性的方法，其特征在于，所述金属层的材质包括钨。