[发明专利]纳米级沟道的制备方法

说明书

本发明涉及一种纳米级沟道的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在所述基底的表面层叠设置一第一光刻胶层、一纳米线结构、一第二光刻胶层，且所述纳米线结构夹于该第一光刻胶层和第二光刻胶层之间，所述纳米线结构包括至少一纳米线；在所述第一光刻胶层和第二光刻胶层上设置至少一凹槽，并使得该凹槽处对应的基底表面暴露，所述纳米线部分暴露并悬空于所述凹槽处，该悬空的纳米线的两端均夹于所述第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；以悬空的纳米线作掩模，向暴露的基底表面沉积一薄膜层，所述悬空的纳米线投影于暴露的基底表面上未沉积薄膜层的区域，即为纳米级沟道。

技术领域

本发明涉及微纳加工技术领域，特别涉及一种纳米级沟道的制备方法。

背景技术

现有技术在制备小尺寸的结构时，如果通过直接加工的方法，加工尺寸多数由加工设备的性能决定。而直接加工出细槽小于10nm的结构，已经超出了绝大多数设备的极限。即便可以加工，成本和成品率也不容易控制。

而若想得到小的细槽结构，常规的方法如蒸发剥离或刻蚀方法等都要先由光刻胶得到小尺寸的结构，然后再基于此结构进行后续的加工。但是，这些方法的问题在于：首先，小尺寸的光刻胶很难实现，过厚的胶本身很难立住，容易倒塌，过薄的胶很难实现图形转移；其次，剥离或者刻蚀过程会对光刻胶有影响，导致光刻胶的残留，对后续结构产生影响。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种方法简单、易操作的纳米级沟道的制备方法。

一种纳米级沟道的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在所述基底的表面层叠设置一第一光刻胶层、一纳米线结构、一第二光刻胶层，且所述纳米线结构夹于该第一光刻胶层和第二光刻胶层之间，所述纳米线结构包括至少一纳米线；在所述第一光刻胶层和第二光刻胶层上设置至少一凹槽，并使得该凹槽处对应的基底表面暴露，所述纳米线部分暴露并悬空于所述凹槽处，该悬空的纳米线的两端均夹于所述第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；以悬空的纳米线作掩模，向暴露的基底表面沉积一薄膜层，所述悬空的纳米线投影于暴露的基底表面上未沉积薄膜层的区域，即为纳米级沟道。

相较于现有技术，本发明所述纳米级沟道的制备方法，通过采用纳米线作为掩模，纳米线的形貌可基本转移到基底上，因此可以得到尺寸很小的沟道；通过对纳米线尺寸的选择，可相应控制沟道的尺寸；制备方法对基底及沉积材料要求不高，且制备方法简单、易操作。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的所述纳米级沟道的制备方法的流程图。

图2为本发明第一实施例提供的层叠设置第一光刻胶层、碳纳米管结构、第二光刻胶层的方法一的流程图。

图3为本发明第一实施例提供的层叠设置第一光刻胶层、碳纳米管结构、第二光刻胶层的方法二的流程图。

图4为本发明第一实施例提供的层叠设置第一光刻胶层、碳纳米管结构、第二光刻胶层的方法三的流程图。

图5为本发明第一实施例提供的层叠设置第一光刻胶层、碳纳米管结构、第二光刻胶层的方法四的流程图。

图6为本发明第一实施例提供的曝光显影暴露出碳纳米管线的扫描电镜照片。

图7为本发明第一实施例提供的纳米级沟道的扫描电镜照片。

图8为本发明第二实施例提供的具有纳米级沟道的薄膜晶体管的制备方法的流程图。

图9为本发明第三实施例提供的具有纳米级沟道的薄膜晶体管的制备方法的流程图。

图10为本发明第四实施例提供的具有纳米级沟道的薄膜晶体管的制备方法的流程图。

主要元件符号说明