[发明专利]纳米级沟道的制备方法

权利要求书

1.一种纳米级沟道的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基底，在所述基底的表面层叠设置一第一光刻胶层、一纳米线结构、一第二光刻胶层，且所述纳米线结构夹于该第一光刻胶层和第二光刻胶层之间，所述纳米线结构包括至少一纳米线；

在所述第一光刻胶层和第二光刻胶层上设置至少一凹槽，并使得该凹槽处对应的基底表面暴露，所述纳米线部分暴露并悬空于所述凹槽处，该悬空的纳米线的两端均夹于所述第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；

以悬空的纳米线作掩模，向暴露的基底表面沉积一薄膜层，所述悬空的纳米线投影于暴露的基底表面上未沉积薄膜层的区域，即为纳米级沟道。

2.如权利要求1所述的纳米级沟道的制备方法，其特征在于，在所述基底的表面层叠设置一第一光刻胶层、一纳米线结构、一第二光刻胶层的方法包括以下步骤：在所述基底的表面设置所述第一光刻胶层；再将所述纳米线结构及第二光刻胶层一起转移至该第一光刻胶层的表面。

3.如权利要求1所述的纳米级沟道的制备方法，其特征在于，在所述基底的表面层叠设置一第一光刻胶层、一纳米线结构、一第二光刻胶层的方法包括以下步骤：将所述第一光刻胶层及纳米线结构一起转移至所述基底的表面；再将该第二光刻胶层设置于该纳米线结构的表面。

4.如权利要求1所述的纳米级沟道的制备方法，其特征在于，在所述基底的表面层叠设置一第一光刻胶层、一纳米线结构、一第二光刻胶层的方法包括以下步骤：将所述第一光刻胶层及一第一纳米线结构单元一起转移至所述基底的表面；再将所述第二光刻胶层及一第二碳纳米管结构单元一起转移至所述第一纳米线结构单元的表面上，且所述第一纳米线结构单元与所述第二纳米线结构单元接触并形成所述纳米线结构。

5.如权利要求1所述的纳米级沟道的制备方法，其特征在于，所述纳米线结构包括多根纳米线，所述多根纳米线沿同一方向延伸或交叉排列。

6.如权利要求1所述的纳米级沟道的制备方法，其特征在于，所述凹槽是通过图案化曝光所述第一光刻胶层和第二光刻胶层得到。

7.如权利要求1所述的纳米级沟道的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的厚度为50纳米-400纳米。

8.如权利要求1所述的纳米级沟道的制备方法，其特征在于，所述薄膜层的厚度小于所述第一光刻胶层的厚度。

9.如权利要求1所述的纳米级沟道的制备方法，其特征在于，进一步包括在制备得到纳米级沟道后去除第一光刻胶层、第二光刻胶层及纳米线结构的步骤。

10.如权利要求9所述的纳米级沟道的制备方法，其特征在于，去除所述第一光刻胶层、第二光刻胶层及纳米线结构的方法为将所述第一光刻胶层、第二光刻胶层及纳米线结构置于去胶溶液中去除。