[发明专利]半导体元件及其关键尺寸的定义方法

说明书

本发明公开了一种半导体元件及其关键尺寸的定义方法。其中，该半导体元件包括：半导体衬底、电路单元以及一个对位标记(align mark)。电路单元位于半导体衬底上。对位标记位于半导体衬底之中，包括第一部分以及第二部分，分别邻接于电路单元的相反两侧；且第一部分和第二部分之间，具有平行第一方向的第一预设距离。

技术领域

本发明是有关于一种集成电路(Integrated Circuit，IC)及其制作方法。特别是有关于一种半导体元件关键尺寸的定义方法。

背景技术

随着集成电路的半导体元件的关键尺寸(critical dimension)朝向制造技术的极限缩小，集成电路工艺对于光刻胶的制造及光刻(photolithography)图形处理的精度要求也越来越严格。由于，半导体元件的关键尺寸很难在光刻工艺中直接进行测量。目前的做法是采用位于切割道(scribe lines)上，由光刻胶材料所构成的关键尺寸棒(CriticalDimension bar，CD bar)来为参考基准，模拟光刻胶在曝光显影后的图案尺寸变化趋势，以间接定义出的半导体元件的关键尺寸。

然而，当用来定义半导体元件的光刻胶图案与关键尺寸棒的光刻胶层宽度和厚度差距过大时，在光刻工艺之后会因为光刻胶材质的收缩率(shrinkage rate)不同，而有不同的变化趋势，若没有进一步的测量很可能导致半导体元件的关键尺寸变异过大，降低半导体元件的工艺合格率和可靠度。

因此，有需要提供一种先进的半导体元件关键尺寸的定义方法，来解决已知技术所面临的问题。

发明内容

本说明书的一实施例公开一种半导体元件，此半导体元件包括：半导体衬底、一个电路单元以及一个对位标记。电路单元位于半导体衬底上。对位标记位于衬底之中，包括第一部分以及第二部分，分别邻接于电路单元的相反两侧；且第一部分和第二部分之间，具有平行第一方向的第一预设距离。

本说明书的另一实施例公开一种半导体元件的关键尺寸的定义方法。此方法包括下述步骤：首先，提供一个半导体衬底，其包含有一个默认区域。在衬底之中形成一个对位标记，使对位标记包括第一部分以及第二部分，分别邻接于默认区域的相反两侧；且与预设区之间分别具有平行第一方向的第一预设距离。在形成对位标记的同时，在默认区域上形成一个电路单元。

根据上述实施例，本说明书是在提供一种半导体元件关键尺寸的定义方法，是在衬底的默认区域上形成电路单元时，同步于衬底中形成一个对位标记，分别邻接于电路单元的相反两侧；且第一部分和第二部分之间，具有平行一方向的预设距离。可以通过对位标记的定位，将用来形成电路单元的光刻胶精准的形成在第一部分和第二部分之间，以确保电路单元关键尺寸落在可容许的误差范围内，以增进半导体元件的工艺合格率和可靠度。

为了对本说明书的上述及其他方面有更好的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下：

附图说明

图1A至图1I是根据本说明书的一实施例所绘示的制作半导体元件的工艺结构剖面示意图；

图2是根据本说明书的一实施例绘示具有图1I所示的结构的半导体元件结构上视图；

图3是根据本说明书另一实施例所绘示半导体元件结构上视图；以及

图4是根据本说明书又一实施例所绘示的半导体元件结构上视图。

【符号说明】

100、200、300：半导体元件

101：衬底

101a：默认区域

104：存储层

105：通道层

107：第一凹室