[发明专利]包括非易失性存储器和控制器的存储装置及其操作方法有效
申请号: | 201710236665.6 | 申请日: | 2017-04-12 |
公开(公告)号: | CN107422982B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 林惠镇;李真烨;姜京花;金珉奭;金敏洙;尹盛远 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 非易失性存储器 控制器 存储 装置 及其 操作方法 | ||
本发明涉及一种包括非易失性存储器和控制器的存储装置,所述控制器配置为根据外部主机装置的请求生成读取命令并传输读取命令至非易失性存储器。非易失性存储器配置为响应读取命令执行读取操作,输出读取数据至控制器,并储存读取操作的信息在内部寄存器中。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年4月14日提交的第10-2016-0045672号韩国专利申请的优先权,其全部公开内容通过引用并入本文。
背景技术
本文中的发明概念一般涉及半导体装置,特别是包括非易失性存储器和控制器的存储装置,以及该存储装置的操作方法。
通常用作存储器的存储装置根据诸如例如计算机、智能电话或智能平板电脑的主机装置的控制储存数据。存储装置可在诸如硬盘驱动器(HDD)的磁盘上储存数据,或者可在半导体存储器(例如非易失性存储器,比如固态驱动器(SSD)或存储卡)中储存数据。
非易失性存储器包括例如只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等等。
随着半导体制造技术的持续进步,高度集成和大容量的存储装置成为发展趋势。借助这种增强的集成,降低了与存储装置有关的制造成本。另一方面,增强的集成造成了存储装置尺寸减小和结构变化,这因此导致可能损害和/或降低所储存的数据的可靠性的多个问题。
发明内容
本发明概念的实施方式提供了具有改进的可靠性的存储装置及该存储装置的操作方法。
本发明概念的实施方式提供了一种存储装置,其包括非易失性存储器;以及配置为配置为根据外部主机装置的请求生成读取命令并将读取命令传输至非易失性存储器的控制器。非易失性存储器配置为响应于读取命令执行读取操作以获得读取数据,将读取数据输出至控制器,并将关于读取操作的信息储存在非易失性存储器的内部寄存器中。
本发明概念的实施方式还提供了一种包括非易失性存储器和控制器的存储装置的操作方法。操作方法包括:在非易失性存储器处接收来自控制器的读取命令;响应于读取命令,由非易失性存储器执行读取操作;从非易失性存储器输出在读取操作过程中读取的数据至控制器;在非易失性存储器中储存关于读取操作的信息;在非易失性存储器处接收来自控制器的得到特征命令(a get feature commend);以及响应于得到特征命令,从非易失性存储器输出所储存的关于读取操作的信息至控制器。关于读取操作的信息包括指示非易失性存储器是否已执行片上管理以改进在读取过程中的读取数据的精确度的信息。
本发明概念的实施方式还提供了一种非易失性存储器,其包括:配置为储存数据的存储单元;计数器,配置为对处于导通状态的存储单元阵列的多个目标存储单元或处于断开状态的存储单元阵列的多个目标存储单元计数;以及控制逻辑电路,配置为基于目标存储单元的所计数量(counted number)、响应于外部提供的命令、在选择性地具有或不具有片上管理的情况下执行读取操作以从目标存储单元获得读取数据,从而将读取数据输出至非易失性存储器外部,并将关于读取操作的信息储存在控制逻辑电路的寄存器中。
附图说明
将根据附图在下面更详细地描述本发明概念的前述和其他特征,其中相同的参考字符指的是贯穿不同视图的相同部分。
图1示出了根据本发明概念的实施方式的非易失性存储器的框图;
图2示出了概括图1中非易失性存储器的操作方法的流程图;
图3示出了概括通过非易失性存储器执行读取操作的方法的流程图;
图4示出了写入存储单元中的数据被降级的示例;
图5示出了在无片上管理的情况下执行读取操作的示例;
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