[发明专利]包括非易失性存储器和控制器的存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

非易失性存储器；以及

控制器，响应于外部主机装置的请求生成读取命令并将所述读取命令传输至所述非易失性存储器，

其中，所述非易失性存储器响应于从所述控制器接收的所述读取命令执行读取操作以获得数据，将所述数据输出至所述控制器，并将关于所述读取操作的信息储存在所述非易失性存储器的内部寄存器中。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中：

所述控制器传输得到命令至所述非易失性存储器，以及

所述非易失性存储器响应于所述得到命令输出储存在所述内部寄存器中的关于所述读取操作的信息至所述控制器。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其中：

所述控制器针对所述数据执行误差校正，以及

所述控制器根据关于所述读取操作的信息以及在所述误差校正过程中检测到的多个误差执行所述非易失性存储器的更新操作。

4.根据权利要求3所述的存储装置，其中：

当检测到的误差数量大于或等于第一临界值时，所述控制器执行所述更新操作，以及

所述控制器：

当检测到的误差数量小于第一临界值并且大于或等于小于第一临界值的第二临界值时，从所述非易失性存储器获得关于所述读取操作的信息，以及

当关于所述读取操作的信息指示在所述读取操作过程中所述非易失性存储器已执行片上管理操作时，执行所述更新操作。

5.根据权利要求4所述的存储装置，其中：

所述控制器在接收所述数据之后从所述非易失性存储器获得关于所述读取操作的信息，

当关于所述读取操作的信息指示在所述读取操作过程中所述非易失性存储器尚未执行片上管理操作以及检测到的误差数量大于第一临界值时，所述控制器执行所述更新操作，以及

当关于所述读取操作的信息指示在所述读取操作过程中所述非易失性存储器已执行片上管理操作以及检测到的误差数量大于小于第一临界值的第二临界值时，所述控制器执行所述更新操作。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，关于所述读取操作的信息包括指示所述非易失性存储器是否执行片上管理操作的信息，所述片上管理根据储存在所述非易失性存储器的、作为所述读取操作的目标的存储单元中的目标数据降级度通过调整所述读取操作获得所述数据。

7.根据权利要求6所述的存储装置，其中，所述片上管理操作包括根据编程至与所述存储单元相邻的相邻存储单元的第一数据调整应用于所述存储单元的读取电压电平，所述存储单元为所述读取操作的目标。

8.根据权利要求6所述的存储装置，其中，所述片上管理操作包括通过使用两个相邻的编程状态之间不同的第一读取电压和第二读取电压对作为所述读取操作目标的存储单元执行第一读取操作和第二读取操作，以及根据第一读取操作和第二读取操作的结果选择在第一读取操作过程中读取的第一数据和在第二读取操作过程中读取的第二数据中之一作为数据。

9.根据权利要求6所述的存储装置，其中：

所述读取操作包括用于检测所述目标数据的降级度的检测读取操作以及包括用于获得所述数据的主要读取操作，以及

所述非易失性存储器配置为根据检测到的降级度执行所述片上管理操作。

10.根据权利要求1所述的存储装置，其中：

所述外部主机装置的请求包括逻辑地址，以及

所述控制器将所述逻辑地址转换成所述非易失性存储器的物理地址，并将所述物理地址与所述读取命令一同传输至所述非易失性存储器。

11.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述非易失性存储器包括以垂直于基底的方向堆叠在所述基底上的多个存储单元，并且每个存储单元包括电荷陷阱层。