[发明专利]成膜装置及成膜方法

权利要求书

1.一种成膜方法，其特征在于，包括：

二氧化硅成膜工序，所述二氧化硅成膜工序是在基板上进行二氧化硅的成膜的工序；

预供给气体工序，所述预供给气体工序是在所述二氧化硅成膜工序之后，向真空腔室内导入含羟基气体的工序；

供给气体工序，所述供给气体工序是在所述预供给气体工序之后向真空腔室内导入含羟基气体的工序；

成膜工序，所述成膜工序是在基板上进行薄膜的成膜的工序；

所述供给气体工序与所述成膜工序同时进行。

2.一种成膜方法，其特征在于，包括：

二氧化硅成膜工序，所述二氧化硅成膜工序是在基板上进行二氧化硅的成膜的工序；

预供给气体工序，所述预供给气体工序是在所述二氧化硅成膜工序之后，向真空腔室内导入含羟基气体的工序；

供给气体工序，所述供给气体工序是在所述预供给气体工序之后向真空腔室内导入含羟基气体的工序；

成膜工序，所述成膜工序是在基板上进行薄膜的成膜的工序；

所述供给气体工序在所述成膜工序之后进行。

3.一种成膜方法，其特征在于，包括：

二氧化硅成膜工序，所述二氧化硅成膜工序是在基板上进行二氧化硅的成膜的工序；

预供给气体工序，所述预供给气体工序是在所述二氧化硅成膜工序之后，向真空腔室内导入含羟基气体的工序；

供给气体工序，所述供给气体工序是在所述预供给气体工序之后通过使基板移动，向基板间歇地供给含羟基气体的工序，以及

成膜工序，所述成膜工序是在基板上进行薄膜的成膜的工序。

4.所述权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于：所述含羟基气体包括水蒸气、醇中的至少一种气体。

5.所述权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于：在所述供给气体工序中导入两种以上的含羟基气体。

6.所述权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于：在所述供给气体工序中，向真空腔室内导入含羟基气体至第一预定压强P1；所述第一预定压强P1为1×10^-3Pa≤P1＜1×10⁵Pa。

7.所述权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于：在所述预供给气体工序中，向真空腔室内导入含羟基气体至第二预定压强P2，所述第二预定压强P2为1×10^-3Pa≤P2≤2×10⁴Pa。

8.所述权利要求7所述的方法，其特征在于：在进行所述预供给气体工序后，直接进行所述成膜工序。

9.所述权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于：在所述供给气体工序中，导入所述含羟基气体的时间为t≤60min。

10.所述权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于：在所述预供给气体工序中，导入所述含羟基气体的时间为t≤60min。

11.所述权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，导入所述含羟基气体的速度为1-10000sccm。

12.所述权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述含羟基气体为水蒸气。

13.所述权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述基板的材料包括玻璃、蓝宝石、铝、不锈钢、氧化铝、PET、聚碳酸酯、三醋酸纤维薄膜中的至少一种。

14.所述权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述薄膜包括防污膜、或硬质膜。