[发明专利]用以在集成电路中集成热过孔结构的技术

说明书

本发明涉及用以在集成电路中集成热过孔结构的技术，其中一种集成电路设计技术包括在集成电路(IC)设计的衬底的第一表面上设置标准单元。在该第一表面上定位至少两个空置区域，该空置区域不包括标准单元。确定可设置于该至少两个空置区域中的一个或多个微填充过孔的高宽比。在该至少两个空置区域中设置该一个或多个微填充过孔。最后，自与该第一表面相对的该集成电路的第二表面设置一个或多个部分热过孔，以将该一个或多个部分热过孔与该一个或多个微填充过孔热耦接，从而创建自该第一表面至该第二表面的热路径。

技术领域

本发明通常涉及集成电路，尤其涉及用以在集成电路中集成热过孔(thermalvia)结构的技术。

背景技术

集成电路(integrated circuit；IC)的主动部分中的开关晶体管产生大量的热。部分所产生的热被传递至该IC的衬底，与该IC的该主动部分类似，该IC的该衬底变热。可使用热过孔(例如硅通孔(through silicon via；TSV))以较快的速率将来自IC的主动部分的热通过该IC的衬底传递至散热片。不过，热TSV可能占据IC的主动侧上的较大量的表面面积，因而从实体区域(real estate)利用角度来看可能不是特别有效。有效实体区域利用的缺乏主要归因于TSV的高宽比(宽度比高度)要求。

发明内容

本文揭示用以在集成电路中集成热过孔结构的技术。可将该技术作为一种方法实施于数据处理系统的集成电路中，且/或作为包含于电脑可读储存装置中的电脑程序产品。该电脑程序产品可包括电子设计自动化(electronic design automation；EDA)工具和/或一个或多个设计文件(例如EDA文件)。

一种集成电路设计技术包括在集成电路(IC)设计的衬底的第一表面上设置标准单元。在该第一表面上定位至少两个空置区域，该空置区域不包括标准单元。确定可设置于该至少两个空置区域中的一个或多个微填充过孔的高宽比。在该至少两个空置区域中设置该一个或多个微填充过孔。最后，自与该第一表面相对的该集成电路的第二表面设置一个或多个部分热过孔，以将该一个或多个部分热过孔与该一个或多个微填充过孔热耦接，从而创建自该第一表面至该第二表面的热路径。

上面的发明内容包含细节的简化、概括及省略且并不意图作为所请求保护的发明主题的全面说明，而是意图提供与其相关联的一些功能的简要概述。本领域的技术人员在检查下面的附图及详细书面说明以后将了解所请求保护的发明主题的其它系统、方法、功能、特征及优点。

本发明的上述以及额外目的、特征及优点将在下面的详细书面说明中变得更加清楚。

附图说明

结合附图阅读有关示例实施例的说明，附图中：

图1显示示例数据处理系统环境的相关部分，其实施包括热过孔结构的一个或多个集成电路(IC)且/或执行电子设计自动化(EDA)工具，依据本发明配置该EDA工具以在IC设计中包含一个或多个热过孔结构；

图2至7显示依据本发明的一个实施例的IC的衬底的相关剖面部分，以说明在该IC中的热过孔结构的创建；

图8显示依据本发明的另一个实施例的该IC的额外部分的衬底的相关剖面部分，以说明在该IC中的热过孔结构的创建；以及

图9显示依据本发明的一个实施例的示例制程的流程图，该制程可通过电子设计自动化(EDA)工具实施，以在IC设计中创建热过孔结构。

具体实施方式

示例实施例揭示用以在集成电路(IC)中集成热过孔结构的技术。可将该技术作为一种方法实施于数据处理系统的集成电路中且/或作为包含于电脑可读储存装置中的电脑程序产品。该电脑程序产品可包括电子设计自动化(EDA)工具和/或一个或多个设计文件(例如EDA文件)。