[发明专利]用以在集成电路中集成热过孔结构的技术

权利要求书

1.一种集成电路设计的方法，包括：

通过数据处理系统在集成电路设计的衬底的第一表面上设置标准单元；

通过该数据处理系统在该第一表面上定位至少两个空置区域，该空置区域不包括该标准单元；

通过该数据处理系统确定可设置于该至少两个空置区域中的一个或多个微填充过孔的高宽比,其中，该微填充过孔是指自该集成电路的前侧形成的过孔；

通过该数据处理系统在该至少两个空置区域中设置该一个或多个微填充过孔；以及

通过该数据处理系统自与该第一表面相对的该集成电路的第二表面设置一个或多个部分热过孔，以将该一个或多个部分热过孔与该一个或多个微填充过孔热耦接，从而创建自该第一表面至该第二表面的热路径,其中，该部分热过孔是指自该集成电路的背侧形成的热过孔。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

将散热片与该第二表面附近的该一个或多个部分热过孔接触耦接。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该微填充过孔包括钨。

4.如权利要求3所述的方法，其中，在该衬底上沉积氮化钛层，以为该钨提供晶种层。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该部分热过孔包括铜。

6.如权利要求5所述的方法，其中，在该衬底上沉积氮化钛层，以提供阻挡层，从而防止该铜扩散进入该衬底中并且也充当晶种层。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该部分热过孔包括钨。

8.如权利要求7所述的方法，其中，在该衬底上沉积氮化钛层，以为该钨提供晶种层。

9.如权利要求1所述的方法，其中，该衬底为硅衬底。

10.一种集成电路，包括：

衬底；

主动装置，形成于该衬底的前侧中，其中，该衬底的第一及第二区域不包括任意该主动装置并具有不同的各自区域；

一个或多个第一微填充过孔，形成于该第一区域中；

一个或多个第二微填充过孔，形成于该第二区域中，其中，该一个或多个第一微填充过孔与该一个或多个第二微填充过孔相比具有不同的高宽比；以及

部分热过孔，形成于该衬底的背侧，其中，该部分热过孔与该第一及第二微填充过孔耦接，以在该衬底的该前及背侧之间提供热路径。

11.如权利要求10所述的集成电路，还包括：

散热片，与该部分热过孔接触。

12.如权利要求10所述的集成电路，其中，该第一及第二微填充过孔包括钨。

13.如权利要求12所述的集成电路，其中，在该衬底上沉积氮化钛层，以为该钨提供晶种层。

14.如权利要求10所述的集成电路，其中，该部分热过孔包括铜。

15.如权利要求14所述的集成电路，其中，在该衬底上沉积氮化钛层，以提供阻挡层，从而防止该铜扩散进入该衬底中并且也充当晶种层。

16.如权利要求10所述的集成电路，其中，该部分热过孔包括钨。

17.如权利要求16所述的集成电路，其中，在该衬底上沉积氮化钛层，以为该钨提供晶种层。

18.如权利要求10所述的集成电路，其中，该衬底为硅衬底。