[发明专利]用于检测存储器故障的测试方法及测试电路

说明书

本发明提供了用于检测存储器故障的测试方法及测试电路，所述测试方法包括：从低地址到高地址或从高低址到低地址依次对每个地址进行写0操作；对存储器从低地址到高地址依次对每个地址进行写0、读0、读0、写1和读1操作；对所述存储器从低地址到高地址依次对每个地址进行读1、写0、写0和读0操作；对所述存储器从高地址到低地址依次对每个地址进行读0、写1、写1和读1操作；对所述存储器从高地址到低地址依次对每个地址进行写1、读1、读1、写0和读0操作；以及对所述存储器从低地址到高地址或从高低址到低地址依次对每个地址进行读0操作。本发明的测试方法能够快速测试存储器的干扰故障和固定开路故障以及常规故障，且测试时间短。

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，具体而言涉及用于检测存储器故障的测试方法及测试电路。

背景技术

随着CMOS工艺尺寸降低到40nm，甚至更低，且SRAM(静态随机存取存储器)单元的设计要遵循一些既定的设计规则以及满足设计密度需要的特性等等，使得SRAM单元的设计变得越来越难。更重要的是，随着存储器的容量越来越大，集成度越来越高，使得存储器内部的晶体管越来越密集，以及器件参数的微小浮动和特性的一些变化等情况下，不可避免地影响了SRAM的性能，存储器中出现的干扰故障问题日益突出。

在低电压下，存储器出现干扰故障的概率大大提高。因此有必要提出一种能够检测存储器普遍存在的故障且同时可以快速检测干扰故障的测试方法及测试电路。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供一种用于检测存储器故障的测试方法，包括以下步骤：

从低地址到高地址或从高低址到低地址依次对每个地址进行写0操作；

对存储器从低地址到高地址依次对每个地址进行写0、读0、读0、写1和读1操作；

对所述存储器从低地址到高地址依次对每个地址进行读1、写0、写0和读0操作；

对所述存储器从高地址到低地址依次对每个地址进行读0、写1、写1和读1操作；

对所述存储器从高地址到低地址依次对每个地址进行写1、读1、读1、写0和读0操作；以及

对所述存储器从低地址到高地址或从高低址到低地址依次对每个地址进行读0操作。

进一步地，所述测试方法还包括在每次读操作后将读取的数据与期望值进行比较，以产生测试结果。

在一个实施例中，所述测试方法由有限状态机自动实施。

在一个实施例中，所述测试方法还包括在所述有限状态机失效时，从所述存储器的输入引脚直接输入测试所需的数据。

根据本发明的另一方面，还提供了一种用于实现上述测试方法的测试电路，包括数据产生器、地址产生器和控制信号产生器，其中：

所述数据产生器用于产生测试所需的写入数据；

所述地址产生器用于产生要测试的存储单元的地址数据；

所述控制信号产生器用于产生控制数据，以控制进行读操作或写操作。

在一个实施例中，所述数据产生器、所述地址产生器和所述控制信号产生器由有限状态机实现。

进一步地，所述测试电路还包括比较器，用于将读取的数据与期望值进行比较，以产生测试结果，其中，