[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底内形成沟槽，所述沟槽用于填充源/漏掺杂层以构成源/漏极；

执行离子注入，以在所述沟槽底部的衬底中形成包含有空隙的离子注入层；

在所述沟槽中填充源/漏掺杂层以形成源/漏极，所述源/漏掺杂层中的掺杂元素扩散至所述离子注入层的所述空隙内，以在所述沟槽的底部形成扩散缓冲层，所述掺杂元素在所述源/漏掺杂层、扩散缓冲层中的浓度呈梯度变化；或者，

在所述执行离子注入之后、所述填充源/漏掺杂层之前，在所述沟槽中形成掺杂外延层，所述掺杂外延层含有所述掺杂元素，所述掺杂外延层中的掺杂元素扩散至所述离子注入层的所述空隙内，以在所述沟槽的底部形成扩散缓冲层，所述掺杂元素在所述源/漏掺杂层、掺杂外延层、扩散缓冲层中的浓度呈梯度变化。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入为包含有Si的离子注入。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述离子注入的离子注入能量范围为2KeV-5KeV，离子注入的剂量为1.0×e¹³cm^-2-1.0×e¹⁴cm^-2。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为Si衬底，所述掺杂外延层包括含有所述掺杂元素的Si外延层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述掺杂外延层的形成温度为700℃～800℃。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述离子注入还包括碳和氮的共注入。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源/漏掺杂层包括含有所述掺杂元素的SiGe层。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成源/漏极的步骤还包括在形成所述源/漏掺杂层之后执行退火的步骤。

9.一种半导体器件，其特征在于，所述器件包括：

半导体衬底，和

形成在所述半导体衬底中的源/漏掺杂层；

其中，

在所述源/漏掺杂层下方形成有扩散缓冲层，

所述扩散缓冲层由所述源/漏掺杂层中的掺杂元素扩散至形成在所述源/漏掺杂层底部的离子注入层的空隙而成，所述掺杂元素在所述源/漏掺杂层、扩散缓冲层中的浓度呈梯度变化；或者，

所述扩散缓冲层由形成在所述源/漏掺杂层底部的掺杂外延层中的掺杂元素扩散至形成在所述掺杂外延层底部的离子注入层的空隙而形成，所述掺杂外延层中的掺杂元素与所述源/漏掺杂层中的掺杂元素相同，所述掺杂元素在所述源/漏掺杂层、掺杂外延层、扩散缓冲层中的浓度呈梯度变化。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述离子注入层为含Si离子注入层。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述含Si离子注入层深度为5nm～20nm，Si离子注入浓度为1.0×e¹⁸-5.0×e¹⁹cm^-3。

12.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底为Si衬底，所述掺杂外延层包括包含所述掺杂元素的Si外延层。

13.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述源/漏掺杂层包括含有所述掺杂元素的SiGe层。