[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

一种半导体结构包含一基板，具有一第一侧与一第二侧，该第一侧与该第二侧对立；一第一插塞，延伸穿过该基板；一第二插塞，延伸穿过该基板；以及一金属结构，位于该第一插塞与该第二插塞之间。该第一插塞通过该金属结构而与该第二插塞隔离，该第一插塞与该第二插塞经配置以连接至一信号源或传送一信号，以及该金属结构经配置以连接至一电源或接地。

技术领域

本公开涉及一种半导体结构，特别关于在该半导体结构中的一遮蔽结构。再者，本公开涉及一种具有该遮蔽结构的半导体结构的制造方法。

背景技术

半导体元件对于许多现代应用而言是重要的。随着电子技术的进展，半导体元件的尺寸越来越小，而功能越来越大且整合的电路量越来越多。由于半导体元件的尺度微小化，具有不同功能的各种形式与尺寸的半导体元经整合且封装于单一模块中。再者，实施许多制造步骤以整合各种形式的半导体元件。

然而，半导体元件的制造与整合涉及多复杂的步骤与操作。整合具有小尺寸(profile)与高密度的半导体元件变得越来越复杂。制造与整合半导体元件的复杂度增加可能造成缺陷，例如电互连不良、信号干扰、组件脱层、或是高产量损失。据此，持续需要改良半导体元件的制造制程并且解决上述复杂性。

上文的「现有技术」说明仅是提供背景技术，并未承认上文的「现有技术」说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的「现有技术」的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的实施例提供一种半导体结构，包括一基板，含有一第一侧以及与该第一侧对立的一第二侧；一第一插塞，延伸穿过该基板；一第二插塞，延伸穿过该基板；以及一金属结构，位于该第一插塞与该第二插塞之间，其中该第一插塞通过该金属结构而与该第二插塞隔离，该第一插塞与该第二插塞经配置以连接至一信号源或传送一信号，以及该金属结构经配置以连接至一电源或接地。

在本公开的一些实施例中，该半导体结构另包括一介电衬垫，环绕该第一插塞、该第二插塞以及该金属结构。

在本公开的一些实施例中，该金属结构的一高度与该第一插塞的一高度及该第二插塞的一高度实质相同。

在本公开的一些实施例中，该第一插塞的一宽度与该第二插塞的一宽度实质相同。

在本公开的一些实施例中，该金属结构延伸穿过该基板。

在本公开的一些实施例中，该半导体结构另包括一第一介电层与一第一金属件，其中该第一介电层位于该基板的该第一侧上方，以及该第一金属件位于该第一介电层内并且电连接至该第一插塞、该第二插塞或该金属结构。

在本公开的一些实施例中，该第一金属件包含局部自该第一介电层暴露的一垫件。

在本公开的一些实施例中，该第一插塞的一部分、该第二插塞的一部分以及该金属结构的一部分位于该第一介电层内。

在本公开的一些实施例中，该半导体结构另包括一第二介电层与一第二金属件，其中该第二介电层位于该基板的该第二侧上方，以及该第二金属件位于该第二介电层内并且电连接至该第一插塞与该第二插塞。

在本公开的一些实施例中，该半导体结构另包括一传导凸块，位于该第二金属件上方并且电连接至该第二金属件。

在本公开的一些实施例中，该半导体结构另包括一传导凸块，位于该基板的该第二侧上方并且电连接至该第一插塞与该第二插塞。