[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基板，包含一第一侧与一第二侧，该第一侧与该第二侧对立；

一第一插塞，延伸穿过该基板；

一第二插塞，延伸穿过该基板；

一金属结构，位于该第一插塞与该第二插塞之间，

其中该第一插塞通过该金属结构而与该第二插塞隔离，该第一插塞与该第二插塞经配置以连接至一信号源或传送一信号，以及该金属结构经配置以连接至一电源或接地。

2.如权利要求1所述的半导体结构，另包括一介电衬垫，环绕该第一插塞、该第二插塞与该金属结构。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属结构的一高度与该第一插塞的一高度及该第二插塞的一高度实质相同。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一插塞的一宽度与该第二插塞的一宽度实质相同。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属结构延伸穿过该基板。

6.如权利要求1所述的半导体结构，另包括一第一介电层与一第一金属件，其中该第一介电层位于该基板的该第一侧上方，以及该第一金属件位于该第一介电层内并且电连接至该第一插塞、该第二插塞或该金属结构。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该第一金属件包含局部自该第一介电层暴露的一垫件。

8.如权利要求6所述的半导体结构，其中该第一插塞的一部分、该第二插塞的一部分以及该金属结构的一部分位于该第一介电层内。

9.如权利要求1所述的半导体结构，另包括一第二介电层与一第二金属件，其中该第二介电层位于该基板的该第二侧上方，以及该第二金属件位于该第二介电层内并且电连接至该第一插塞与该第二插塞。

10.如权利要求9所述的半导体结构，另包括一传导凸块，位于该第二金属件上方并且电连接至该第二金属件。

11.如权利要求1所述的半导体结构，另包括一传导凸块，位于该基板的该第二侧上方并且电连接至该第一插塞与该第二插塞。

12.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一基板，包含一第一侧与一第二侧，该第一侧与该第二侧对立；

形成一第一插塞、一第二插塞、以及一金属结构，自该基板的该第一侧向该基板的该第二侧延伸；

配置一介电层于该基板的该第一侧上方；以及

形成一金属件于该介电层内以及于该第一插塞、该第二插塞或该金属结构上方；

其中该金属结构位于该第一插塞与该第二插塞之间，该第一插塞与该第二插塞经配置以连接至一信号源或传送一信号，以及该金属结构经配置以连接至一电源或接地。

13.如权利要求12所述的制造方法，其中形成该第一插塞、该第二插塞与该金属结构包含移除该基板的一部分以形成一凹部，以及配置一传导材料于该凹部内。

14.如权利要求13所述的制造方法，另包括配置一介电衬垫与该凹部共形(conformal)。

15.如权利要求12所述的制造方法，其中同时形成该第一插塞、该第二插塞与该金属结构。

16.如权利要求12所述的制造方法，其中形成该金属件包含形成一垫件，该垫件局部自该介电层暴露并且位于该第一插塞、该第二插塞或该金属结构上方。

17.如权利要求12所述的制造方法，其中该金属件电连接至该第一插塞、第二插塞或该金属结构。