[发明专利]一种电力电子器件的板级埋入封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 201710210703.0 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106876345A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 侯峰泽;郭学平;周云燕 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电力 电子器件 埋入 封装 结构 方法 | ||
1.一种电力电子器件的板级埋入封装结构，其特征在于，包括：
芯片载体和芯片，所述芯片的背面与所述芯片载体的表面键合，所述芯片的正面具有至少两个电极；
所述芯片载体的表面上还压合有第一半固化片，所述第一半固化片与所述芯片对应位置具有第一开孔以露出所述芯片；
所述第一半固化片上压合有芯板，所述芯板与所述芯片对应位置具有第二开孔以露出所述芯片；
所述芯片和所述芯板上压合有第二半固化片，所述第二半固化片的对应所述电极的区域具有第三开孔以露出所述芯片的电极；
所述芯片上依次形成有再布线层和阻焊层。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片的背面与所述芯片载体的表面键合的方式包括共晶焊、烧结银或高导热胶涂覆。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片和所述芯板之间的空隙内填充有所述第二半固化片。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片载体包括金属载体、陶瓷载体和高导热复合载体。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片为平面型电力电子器件。
6.一种电力电子器件的板级埋入封装方法，其特征在于，包括：
提供一芯片载体和多个芯片，所述芯片的背面与所述芯片载体键合，并在所述芯片载体上形成芯片阵列，每个所述芯片的正面具有至少两个电极；
将具有第一开孔图案的第一半固化片压合到所述芯片载体上，所述第一半固化片的第一开孔图案与所述芯片阵列对应以露出所述芯片阵列；
将具有第二开孔图案的芯板压合到所述第一半固化片上，所述芯板的第二开孔图案与所述芯片阵列对应以露出所述芯片阵列；
在所述芯片阵列和所述芯板上压合第二半固化片，并在所述第二半固化片的对应所述电极的区域制作第三开孔图案以露出所述芯片的电极；
在所述芯片阵列上依次形成再布线层和阻焊层；
切割以形成多个无引线的板级埋入封装结构。
7.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述芯片的背面与所述芯片载体键合，包括：
所述芯片的背面通过共晶焊、烧结银或高导热胶涂覆与所述芯片载体键合。
8.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述在所述芯片阵列和所述芯板上压合第二半固化片，包括：
在所述芯片阵列和所述芯板上压合所述第二半固化片，对所述第二半固化片加热以填充满所述芯片与所述芯板之间的空隙。
9.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述芯片为平面型电力电子器件。
10.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述芯片载体包括金属载体、陶瓷载体和高导热复合载体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710210703.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体封装结构及封装方法
- 下一篇：芯片封装结构及其制造方法
