[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板处理方法和基板处理装置，特别涉及一种去除氧化膜的基板处理方法和基板处理装置。

背景技术

在使用硅晶圆(以下称作“晶圆”)的电子器件的制造方法中，例如重复执行以下工序等：在晶圆的表面形成导电膜、绝缘膜的成膜工序；在所形成的导电膜、绝缘膜上形成规定的图案的光致抗蚀剂层的光刻工序；将光致抗蚀剂层用作掩模，利用从处理气体所生成的等离子体来将导电膜成形为栅极电极、或者在绝缘膜上形成布线槽、接触孔的蚀刻工序。

作为一例，在某个电子器件的制造方法中，有时在形成于晶圆的表面的多晶硅膜上以规定的图案形成槽之后，形成作为填充该槽的氧化膜的硅氧化膜，接着通过蚀刻等对该硅氧化膜进行去除使之成为规定的厚度。

此时，作为硅氧化膜的去除方法，已知一种对晶圆实施COR(Chemical Oxide Removal：化学氧化物去除)处理和PHT处理(Post Heat Treatment：后热处理)的基板处理方法。COR处理为使硅氧化膜与气体分子发生化学反应来生成反应生成物的处理。PHT处理为对被实施了COR处理的晶圆进行加热来使通过COR处理的化学反应而在晶圆上生成的反应生成物升华从而将该反应生成物从晶圆去除的处理。

作为执行包括这些COR处理和PHT处理的基板处理方法的基板处理装置，公知有一种具备化学反应处理室(COR处理室)以及与化学反应处理室连接的热处理室(PHT处理室)的基板处理装置(例如参照专利文献1)。另外，提出了如下一种基板处理装置：在同一处理室的内部，在对晶圆以低温进行了COR处理之后，对晶圆进行加热来使晶圆升温到规定温度，由此进行PHT处理(例如参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2008-160000号公报

专利文献1：日本特开2007-266455号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，存在如下情况：在PHT处理中升华后的生成物停留在晶圆的附近，阻碍了反应生成物从晶圆进一步升华。其结果，存在PHT处理需要时间而无法提高氧化膜去除的处理效率的问题。

本发明的目的在于提供一种能够提高氧化膜去除的处理效率的基板处理方法和基板处理装置。

用于解决问题的方案

为了达成上述目的，本发明的基板处理方法用于去除基板的表面上形成的氧化膜，所述基板处理方法的特征在于，具有以下工序：反应工序，对收纳在处理室的内部的所述基板供给含卤元素气体和碱性气体，由此使所述氧化膜变性为反应生成物；以及升华工序，通过停止向所述处理室的内部供给所述含卤元素气体，来使所述反应生成物升华从而将所述反应生成物从所述基板去除，其中，通过向所述处理室的内部供给非活性气体，来使所述升华工序中的所述处理室的内部的压力比所述反应工序中的所述处理室的内部的压力高。

为了达成上述目的，本发明的基板处理装置具备：处理室，其用于收纳基板；以及气体供给单元，其向所述处理室的内部选择性地供给含卤元素气体、碱性气体和非活性气体，其中，所述气体供给单元执行通过向所述处理室的内部供给所述含卤元素气体和所述碱性气体来使载置于载置台的基板上形成的氧化膜变性为反应生成物的反应工序，并且执行通过停止向所述处理室的内部供给所述含卤元素气体来使所述反应生成物升华从而将所述反应生成物从所述基板去除的升华工序，所述气体供给单元还通过向所述处理室的内部供给非活性气体，来使所述升华工序中的所述处理室的内部的压力比所述反应工序中的所述处理室的内部的压力高。

发明的效果

根据本发明，通过向处理室的内部供给非活性气体，来使升华工序中的处理室的内部的压力比反应工序中的处理室的内部的压力高，因此在升华工序中，在处理室的内部产生非活性气体的流动，通过该非活性气体的流动从基板的附近去除从基板升华后的反应生成物的气体。其结果，促进了反应生成物从基板的升华得，结果能够提高氧化膜去除的处理效率。

附图说明

图1是概要性地表示具备本发明的实施方式所涉及的基板处理装置的基板处理系统的结构的俯视图。

图2是概要性地表示图1中的蚀刻装置的结构的截面图。

图3是表示作为本发明的实施方式所涉及的基板处理方法的氧化膜去除处理的工序图。

图4是用于说明反应生成物从晶圆的升华停滞的截面图。