[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，用于去除基板的表面上形成的氧化膜，所述基板处理方法的特征在于，具有以下工序：

反应工序，通过对收纳在处理室的内部的所述基板供给含卤元素气体和碱性气体，来使所述氧化膜变性为反应生成物；以及

升华工序，通过停止向所述处理室的内部供给所述含卤元素气体，来使所述反应生成物升华从而将所述反应生成物从所述基板去除，

其中，通过向所述处理室的内部供给非活性气体，来使所述升华工序中的所述处理室的内部的压力比所述反应工序中的所述处理室的内部的压力高。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

使在所述升华工序中向所述处理室的内部供给的所述非活性气体的供给量比在所述反应工序中向所述处理室的内部供给的所述非活性气体的供给量大。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，

使在所述升华工序中向所述处理室的内部供给的所述非活性气体的供给量为在所述反应工序中向所述处理室的内部供给的所述非活性气体的供给量的3倍以上。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

多次重复执行所述反应工序和所述升华工序。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

将在所述升华工序中向所述处理室的内部供给的所述非活性气体的温度保持为80℃以上。

6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，

将在所述升华工序中向所述处理室的内部供给的所述非活性气体的温度保持为120℃以上。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述升华工序中的所述处理室的内部的压力与所述反应工序中的所述处理室的内部的压力之差为4Torr以内。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

预先贮存所述非活性气体，在所述升华工序中将贮存的所述非活性气体供给到所述处理室的内部。

9.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

处理室，其用于收纳基板；以及

气体供给单元，其向所述处理室的内部选择性地供给含卤元素气体、碱性气体和非活性气体，

其中，所述气体供给单元执行通过向所述处理室的内部供给所述含卤元素气体和所述碱性气体来使收纳于所述处理室的基板上形成的氧化膜变性为反应生成物的反应工序，并且执行通过停止向所述处理室的内部供给所述含卤元素气体来使所述反应生成物升华从而将所述反应生成物从所述基板去除的升华工序，

所述气体供给单元还通过向所述处理室的内部供给非活性气体，来使所述升华工序中的所述处理室的内部的压力比所述反应工序中的所述处理室的内部的压力高。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

所述气体供给单元使在所述升华工序中向所述处理室的内部供给的所述非活性气体的供给量比在所述反应工序中向所述处理室的内部供给的所述非活性气体的供给量大。

11.根据权利要求9或10所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置还具备对所述非活性气体进行加热的气体加热单元，

所述气体加热单元将在所述升华工序中向所述处理室的内部供给的所述非活性气体的温度保持为80℃以上。

12.根据权利要求9至11中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置还具备预先贮存所述非活性气体的气体贮存单元，

所述气体贮存单元在所述升华工序中将贮存的所述非活性气体供给到所述处理室的内部。