[发明专利]一种应用于液晶显示器的动态随机存储器及其存取方法

说明书

本发明公开了一种应用于液晶显示器的动态随机存储器及其存取方法。该动态随机存储器为一具有迟滞效应的薄膜晶体管，该方法包括：固定薄膜晶体管的源极和漏极之间的电压为第一电压；向栅极施加待存电压以使动态随机存储器处于对应的存储状态；向栅极施加第三电压以读取流经漏极的漏极电流；根据漏极电流读取动态随机存储器的存储状态。通过上述方式，本发明的动态随机存储器不需要额外增加电容即可实现存取功能，从而保证了液晶显示器的显示效果；另外，本发明使用现有的薄膜晶体管来实现动态随机存储器，不需要额外的制程以及占用额外的面积，从而降低了液晶显示器的生产复杂度。

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种应用于液晶显示器的动态随机存储器及其存取方法。

背景技术

传统的动态随机存储器需要使用1T1C，也即一个晶体管和一个电容。当传统的动态随机存储器应用到液晶显示器中时，由于液晶显示器的分辨率越来越高，对于RC延迟和开口率的要求越来越高，而动态随机存储器中引入的额外的电容会造成RC延迟增大以及开口率下降，从而降低液晶显示器的显示效果。另外，采用传统的动态随机存储器，还需要额外的制程并占用较大的面积，从而增大了液晶显示器的生产复杂度。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种应用于液晶显示器的动态随机存储器及其存取方法，不需要额外增加电容即可实现动态存取之功能，从而保证了液晶显示器的显示效果。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种应用于液晶显示器的动态随机存储器的存取方法，该动态随机存储器为一具有迟滞效应的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括一栅极、一源极和一漏极，该方法包括：固定薄膜晶体管的源极和漏极之间的电压为第一电压；向栅极施加待存电压以使动态随机存储器处于对应的存储状态，其中，存储状态包括第一状态和第二状态；向栅极施加第三电压以读取流经漏极的漏极电流；根据漏极电流读取动态随机存储器的存储状态，其中，漏极电流包括第一电流和第二电流，第一电流小于第二电流。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种应用于液晶显示器的动态随机存储器，该动态随机存储器为一具有迟滞效应的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括一栅极、一源极和一漏极；其中，源极和漏极之间固定为第一电压；其中，向栅极施加第二正电压的待存电压时，动态随机存储器的存储状态为第一状态；向栅极施加第二负电压的待存电压时，动态随机存储器的存储状态为第二状态；其中，当动态随机存储器的存储状态为第一状态或第二状态时，向栅极施加第三电压，读取流经漏极的漏极电流；其中，当漏极电流为第一电流时，定义读取出的动态随机存储器为第一状态；当漏极电流为第二电流时，定义读取出的动态随机存储器为第二状态；其中，第一电流小于第二电流。

本发明的有益效果是：本发明的应用于液晶显示器的动态随机存储器及其存取方法通过采用具有迟滞效应的薄膜晶体管，其中，向栅极施加第二正电压的待存电压时，动态随机存储器的存储状态为第一状态；向栅极施加第二负电压的待存电压时，动态随机存储器的存储状态为第二状态；当动态随机存储器的存储状态为第一状态或第二状态时，向栅极施加第三电压，读取流经漏极的漏极电流；其中，当漏极电流为第一电流时，定义读取出的动态随机存储器为第一状态；当漏极电流为第二电流时，定义读取出的动态随机存储器为第二状态。通过上述方式，本发明的应用于液晶显示器的动态随机存储器不需要额外增加电容，从而保证了液晶显示器的显示效果；另外，本发明使用现有的薄膜晶体管来实现动态随机存储器，不需要额外的制程以及占用额外的面积，从而降低了液晶显示器的生产复杂度。

附图说明

图1是本发明实施例的应用于液晶显示器的动态随机存储器的结构示意图；

图2是图1所示动态随机存储器的迟滞效应的特征曲线图；

图3是本发明实施例的应用于液晶显示器的动态随机存储器的一具体结构示意图；

图4是本发明实施例的应用于液晶显示器的动态随机存储器的存取方法的流程图；