[发明专利]一种应用于液晶显示器的动态随机存储器及其存取方法

权利要求书

1.一种应用于液晶显示器的动态随机存储器的存取方法，其特征在于，所述动态随机存储器为一具有迟滞效应的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括一栅极、一源极和一漏极，所述方法包括：

固定所述薄膜晶体管的所述源极和所述漏极之间的电压为第一电压；

向所述栅极施加第二正电压或第二负电压的待存电压以使所述动态随机存储器处于对应的存储状态，其中，所述存储状态包括第一状态和第二状态；

向所述栅极施加第三电压以读取流经所述漏极的漏极电流,其中所述第三电压为在正向扫描和反向扫描所形成的曲线中，漏极电流的差值最大处所对应的栅极电压；其中所述正向扫描即所述源极和所述漏极之间的电压为第一电压时，对栅极施加从第二负电压到第二正电压的电压信号；所述反向扫描即所述源极和所述漏极之间的电压为第一电压时，对栅极施加从第二正电压到第二负电压的电压信号；

根据所述漏极电流读取所述动态随机存储器的所述存储状态，其中，所述漏极电流包括第一电流和第二电流，所述第一电流小于所述第二电流。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向所述栅极施加待存电压以使所述动态随机存储器处于对应的存储状态的步骤包括：

向所述栅极施加所述第二正电压的所述待存电压以使所述动态随机存储器处于所述第一状态；或者

向所述栅极施加所述第二负电压的所述待存电压以使所述动态随机存储器处于所述第二状态。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述漏极电流读取所述动态随机存储器的所述存储状态的步骤包括：

当所述漏极电流为第一电流时，读取所述动态随机存储器的所述存储状态为所述第一状态；当所述漏极电流为第二电流时，读取所述动态随机存储器的所述存储状态为所述第二状态。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一状态为二进制数中的“1”，所述第二状态为二进制数中的“0”。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电流比所述第二电流小1～2个数量级。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二电流和所述第一电流的差值随着所述薄膜晶体管的温度升高而变大。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为非晶硅薄膜晶体管或金属氧化物薄膜晶体管。

8.一种应用于液晶显示器的动态随机存储器，其特征在于，所述动态随机存储器为一具有迟滞效应的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括一栅极、一源极和一漏极；

其中，所述源极和所述漏极之间固定为第一电压；

其中，向所述栅极施加第二正电压的待存电压时，所述动态随机存储器的存储状态为第一状态；向所述栅极施加第二负电压的待存电压时，所述动态随机存储器的存储状态为第二状态；

其中，当所述动态随机存储器的所述存储状态为所述第一状态或所述第二状态时，向所述栅极施加第三电压，读取流经所述漏极的漏极电流，所述第三电压为在正向扫描和反向扫描所形成的曲线中，漏极电流的差值最大处所对应的栅极电压；其中所述正向扫描即所述源极和所述漏极之间的电压为第一电压时，对栅极施加从第二负电压到第二正电压的电压信号；所述反向扫描即所述源极和所述漏极之间的电压为第一电压时，对栅极施加从第二正电压到第二负电压的电压信号；

其中，当所述漏极电流为第一电流时，定义读取出的所述动态随机存储器为所述第一状态；当所述漏极电流为第二电流时，定义读取出的所述动态随机存储器为所述第二状态；

其中，所述第一电流小于所述第二电流。

9.根据权利要求8所述的动态随机存储器，其特征在于，所述第一状态为二进制数中的“1”，所述第二状态为二进制数中的“0”。

10.根据权利要求8所述的动态随机存储器，其特征在于，所述薄膜晶体管为非晶硅薄膜晶体管或金属氧化物薄膜晶体管。