[发明专利]制作显示面板的方法、显示面板及显示装置

说明书

本申请公开了一种制作显示面板的方法、显示面板及显示装置，显示面板包括薄膜晶体管区以及电容区，该方法包括：在衬底基板上形成电容区的第一极板及第一薄膜晶体管的栅极；在第一导体层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上依次形成半导体有源层、刻蚀缓冲层以及刻蚀阻挡层，刻蚀位于电容区的刻蚀阻挡层及刻蚀缓冲层；刻蚀位于薄膜晶体管区的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成第一薄膜晶体管的第一极、第二极，在电容区形成第二极板；通过本方法，可以增大存储电容的存储量，提高存储电容的充放电速度，同时在制作显示面板的过程中，将氧化物半导体层作为刻蚀缓冲层，在对其他绝缘层进行刻蚀时，可对存储电容的绝缘介质进行有效的保护。

技术领域

本发明一般涉及显示技术领域，尤其涉及一种制作显示面板的方法、显示面板及显示装置。

背景技术

随着显示技术的提升，显示面板也向着多元化发展。现有的显示面板可分为柔性显示面板和刚性显示面板。为了迎合市场对显示面板多元化的需求，对显示面板的制作工艺具有越来越高的要求。

在现有的显示技术中，通常在显示面板设置薄膜晶体管以及存储电容。在液晶显示面板中，薄膜晶体管用于在显示期间控制液晶的旋转，在有机发光电致显示面板中，薄膜晶体管用于在显示期间向有机发光二极管提供驱动电流，存储电容可用于存储数据电压信号。

在形成存储电容的过程中，通常利用显示面板上栅绝缘层以及形成薄膜晶体管的半导体有源层作为存储电容的绝缘介质层。为了增大存储电容的存储容量，通常将作为绝缘介质层的半导体有源层在真空中退火，使其导体化。由于退火温度过高，这样一来，使得在低温环境中形成显示面板的技术难以实现。同时，半导体有源层表面电阻率依旧较大，且与漏极之间的接触面存在一定的接触电阻，在电容充放电过程中该界面的存在不利于电子的有效运输，即延长了存储电容的充放电时间，使得存储电容存储电荷的能力降低，从而降低了显示面板的显示效果。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种显示面板，以期解决现有技术中存在的技术问题。

第一方面，本申请提供的一种显示面板的制作方法，所制作的显 示面板包括薄膜晶体管区以及电容区，该方法包括：在衬底基板上形成第一导体层，刻蚀第一导体层形成位于电容区的第一极板以及位于薄膜晶体管区的第一薄膜晶体管的栅极；在第一导体层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成氧化物半导体层，刻蚀氧化物半导体层形成半导体有源层以及刻蚀缓冲层，其中，半导体有源层位于薄膜晶体管区，刻蚀缓冲层位于电容区；在半导体有源层以及刻蚀缓冲层上形成刻蚀阻挡层，刻蚀位于电容区的刻蚀阻挡层以及刻蚀缓冲层；刻蚀位于薄膜晶体管区的刻蚀阻挡层以暴露部分半导体有源层，形成半导体有源层与第一薄膜晶体管的第一电极的接触区和半导体有源层与第一薄膜晶体管的第二极的接触区；在刻蚀阻挡层上形成第二导体层，刻蚀第二导体层以在薄膜晶体管区形成第一极、第二极以及在电容区形成第二极板，其中，第二极板向衬底基板的正投影与第一极板至少部分重叠。

按照本申请实施例提供的方案，在形成存储电容的过程中，将电容区刻蚀阻挡层以及作为刻蚀缓冲层的半导体有源层利用同一道掩膜工序刻蚀，同时利用干刻工艺对刻蚀阻挡层进行刻蚀，利用湿刻工艺对作为刻蚀缓冲层的半导体有源层进行刻蚀，这样一来避免利用干刻工艺刻蚀刻蚀缓冲层时，刻蚀掉第一绝缘层，在刻蚀刻蚀缓冲层的过程中，对作为存储电容的绝缘介质层的第一绝缘层进行有效的保护。同时还有利于低温形成柔性显示面板。

第二方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：衬底基板；形成于衬底基板上的第一薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管包括栅极、第一极和第二极；栅极由第一导体层组成，第一极、第二极由第二导体层组成，第一导体层与第二导体层之间还设置有第一绝缘层、半导体层以及刻蚀阻挡层，其中，半导体层包括与第一极、第二极相接触的接触区；形成于衬底基板上的存储电容，存储电容包括第一极板、第二极板以及设置于第一极板和第二极板之间的绝缘介质；第一极板由第一导体层组成，第二极板由第二导体层组成；绝缘介质由第一绝缘层组成。