[发明专利]制作显示面板的方法、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板包括薄膜晶体管区以及电容区，所述方法包括：

在衬底基板上形成第一导体层，刻蚀所述第一导体层形成位于所述电容区的第一极板以及位于所述薄膜晶体管区的第一薄膜晶体管的栅极；

在所述第一导体层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成氧化物半导体层，刻蚀所述氧化物半导体层形成半导体有源层以及刻蚀缓冲层，其中，所述半导体有源层位于所述薄膜晶体管区，所述刻蚀缓冲层位于所述电容区，刻蚀所述氧化物半导体层采用湿刻方式；

在所述半导体有源层以及所述刻蚀缓冲层上形成刻蚀阻挡层，刻蚀位于所述电容区的所述刻蚀阻挡层以及所述刻蚀缓冲层，其中，利用干刻对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，利用湿刻对作为所述刻蚀缓冲层的半导体有源层进行刻蚀；

刻蚀位于薄膜晶体管区的所述刻蚀阻挡层以暴露部分所述半导体有源层，形成所述半导体有源层与所述第一薄膜晶体管的第一极的接触区和所述半导体有源层与所述第一薄膜晶体管的第二极的接触区；

在所述刻蚀阻挡层上形成第二导体层，刻蚀所述第二导体层以在所述薄膜晶体管区形成所述第一极、所述第二极以及在所述电容区形成第二极板，其中，所述第二极板向所述衬底基板的正投影与所述第一极板至少部分重叠。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述显示面板还包括独立于所述薄膜晶体管区和所述电容区之外的电路区，所述方法还包括：

在刻蚀位于所述电容区的所述刻蚀阻挡层时，刻蚀位于所述电路区的所述刻蚀阻挡层以及所述第一绝缘层，以形成连接至所述第一导体层的第一过孔；或者，

在刻蚀位于所述薄膜晶体管区的所述刻蚀阻挡层以暴露部分所述半导体有源层，形成所述半导体有源层与所述第一薄膜晶体管的第一电极的接触区和所述半导体有源层与所述第一薄膜晶体管的第二极的接触区时，刻蚀位于所述电路区的所述刻蚀阻挡层以及所述第一绝缘层，以形成连接至所述第一导体层的第一过孔。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述第一导体层、刻蚀所述第二导体层采用湿刻方式；刻蚀所述第一绝缘层以及刻蚀所述刻蚀阻挡层采用干刻方式。

4.根据权利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，所述在所述半导体有源层以及所述刻蚀缓冲层上形成刻蚀阻挡层，刻蚀位于所述电容区的所述刻蚀阻挡层以及所述刻蚀缓冲层，包括：

在所述刻蚀阻挡层上沉积第一光刻胶层；

使用第一掩模版通过光刻工艺在所述刻蚀阻挡层上形成第一光刻胶图案；

通过刻蚀工艺去除没有被所述第一光刻胶图案覆盖的所述刻蚀阻挡层以及所述刻蚀缓冲层以暴露所述第一绝缘层；

去除所述第一光刻胶图案。

5.根据权利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述刻蚀阻挡层以暴露部分所述半导体有源层，形成所述半导体有源层与所述第一薄膜晶体管的第一极的接触区和所述半导体有源层与所述第一薄膜晶体管的第二极的接触区，包括：

在所述刻蚀阻挡层第二导体层上沉积第二光刻胶层；

使用第二掩模板通过光刻工艺在所述刻蚀阻挡层上形成第二光刻胶图案；

通过刻蚀工艺去除没有被所述第二光刻胶图案覆盖的所述刻蚀阻挡层以形成与所述第一极的接触区以及与所述第二极的接触区；

去除所述第二光刻胶图案。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第二导体层形成公共走线；

在所述第二导体层上形成像素电极层；

在所述像素电极层上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层与所述第二导体层之间形成第二过孔，所述第二过孔用于连接位于所述第二绝缘层上的公共电极以及所述公共走线；

在所述第二绝缘层上形成公共电极层，刻蚀所述公共电极层以形成所述公共电极。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀缓冲层向所述第一导体层的正投影覆盖所述第一极板。