[发明专利]GFF结构触摸屏的制造方法

权利要求书

1.GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

制作上线路ITO薄膜层，在所述上线路ITO薄膜层的上表面形成上层OCA光学胶层；

制作下线路ITO薄膜层，在所述下线路ITO薄膜层的上表面形成下层OCA光学胶层；

将所述下层OCA光学胶层与所述上线路ITO薄膜层进行贴合；

将柔性线路板分别与所述上线路ITO薄膜层及所述下线路ITO薄膜层进行绑定；

在玻璃基板的下板面形成油墨层；

将所述上层OCA光学胶层与所述油墨层的下表面贴合。

2.如权利要求1所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于，所述制作上线路ITO薄膜层的步骤包括：

在上线路基材的上表面形成上线路导电ITO层；

利用缩水老化处理使所述上线路基材及所述上线路导电ITO层完全结晶；

在所述上线路导电ITO层上贴合干膜，进行紫外曝光处理，使所述干膜沿导电线路图案的方向硬化；

将未硬化的所述干膜利用显影液清洗掉，暴露出所述上线路导电ITO层；

将暴露出的所述上线路导电ITO层利用蚀刻液蚀刻掉；

对已经硬化的所述干膜进行退膜处理，使所述上线路基材上仅存留形成上层导电线路的所述上线路导电ITO层；

在形成所述上层导电线路的所述上线路导电ITO层的边框区域上印刷导电银胶，对所述导电银胶进行激光刻蚀以形成上层银胶搭接线路。

3.如权利要求2所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于：所述上线路基材为PET基材。

4.如权利要求1所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于，所述制作下线路ITO薄膜层的步骤包括：

在下线路基材的上表面形成下线路导电ITO层；

利用缩水老化处理使所述下线路基材及所述下线路导电ITO层完全结晶；

在所述下线路导电ITO层上贴合干膜，进行紫外曝光处理，使所述干膜沿导电线路图案的方向硬化；

将未硬化的所述干膜利用显影液清洗掉，暴露出所述下线路导电ITO层；

将暴露出的所述下线路导电ITO层利用蚀刻液蚀刻掉；

对已经硬化的所述干膜进行退膜处理，使所述下线路基材上仅存留形成下层导电线路的所述下线路导电ITO层；

在形成所述下层导电线路的所述下线路导电ITO层的边框区域上印刷导电银胶，对所述导电银胶进行激光刻蚀以形成下层银胶搭接线路。

5.如权利要求4所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于：所述下线路基材为PET基材。

6.如权利要求2或4所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于：所述缩水老化处理的温度为150℃-160℃，老化速率为1.0m/min-2.0m/min。

7.如权利要求1所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于：将所述下层OCA光学胶层与所述上线路ITO薄膜层进行贴合时的滚贴压力为2.5Kgf/CM²-3Kgf/CM²，滚贴速度为0.04mm/ms-0.06mm/ms。

8.如权利要求1所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于，所述将柔性线路板分别与所述上线路ITO薄膜层及所述下线路ITO薄膜层进行绑定的步骤包括：

将预贴好ACF导电胶的所述柔性线路板与所述上线路ITO薄膜层及所述下线路ITO薄膜层进行热压贴合处理。

9.如权利要求8所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于：所述热压贴合处理的压力为26KGF-28KGF，温度为165℃-175℃，时间11S-15S。

10.如权利要求1所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于：将所述上层OCA光学胶层与所述油墨层的下表面贴合时的贴合压力为0.2MPa-0.4MPa，贴合速度为110mm/s-140mm/s。