[发明专利]一种SOI横向高压器件

权利要求书

1.一种SOI横向高压器件，其特征在于：其元胞结构包括衬底(1)、衬底(1)下表面的衬底接触电极(16)、衬底(1)上表面的埋氧层(2)、埋氧层(2)上表面的厚SOI层(4)、厚SOI层(4)左侧的P型体区(8)、厚SOI层(4)内部的厚介质层(5)、沿纵向方向贯穿并嵌入在厚介质层(5)右端的N型重掺杂漏极区(11)、纵向上位于厚介质层(5)和埋氧层(2)之间的超薄顶层硅(3)、P型体区(8)和厚介质层(5)之间的N型条区(7)和P型条区(6)、位于P型体区(8)内部的相互独立的P型重掺杂体接触区(9)和N型重掺杂源极区(10)、设置在N型重掺杂源极区(10)和P型体区(8)上表面的栅氧化层(12)、与P型体区(8)的上表面相接触的源极接触电极(13)、栅氧化层(12)上方的多晶硅栅(14)、设置在N型重掺杂漏极区(11)上表面的漏极接触电极(15)，所述埋氧层(2)的上表面与厚SOI层(4)和超薄顶层硅(3)的下表面相连接，所述厚介质层(5)的下表面与超薄顶层硅(3)的上表面相接触，所述N型条区(7)和P型条区(6)构成超结结构并在竖直方向交替排列地嵌入在N型漂移区中靠近源端区域的厚SOI层(4)中，P型重掺杂体接触区(9)和N型重掺杂源极区(10)的上表面与P型体区(8)的上表面相接触，所述源极接触电极(13)的右端部分覆盖N型重掺杂源极区(10)的左端，所述栅氧化层(12)的左端部分覆盖N型重掺杂源极区(10)的右端，栅氧化层(12)不与源极接触电极(13)相接触。

2.根据权利要求1所述的一种SOI横向高压器件，其特征在于：所述器件的漏端含有N型buffer区(17)。

3.根据权利要求1所述的一种SOI横向高压器件，其特征在于：所述N型条区(7)和P型条区(6)在Y方向的宽度不相等且交替顺序互换。

4.根据权利要求1所述的一种SOI横向高压器件，其特征在于：所述N型条区(7)和P型条区(6)与埋氧层(2)的上表面不相切。

5.根据权利要求1所述的一种SOI横向高压器件，其特征在于：所述超薄顶层硅(3)和厚SOI层(4)分别通过线性变掺杂或均匀掺杂或离散掺杂中的一种掺杂方式形成；或者分别通过N段线性变掺杂方式形成，N＝1，2，3，4……。

6.根据权利要求1所述的一种SOI横向高压器件，其特征在于：所述N型条区(7)靠近P型体区(8)的一端的形状为圆弧形，所述P型条区(6)靠近厚介质层(5)的一端的形状为圆弧形。

7.根据权利要求1所述的一种SOI横向高压器件，其特征在于：所述N型条区(7)为矩形，N型条区(7)左端和P型体区(8)的距离大于P型条区(6)左端和P型体区(8)的距离，所述P型条区(6)为矩形，P型条区(6)右端与厚介质层(5)的距离大于N型条区(7)右端与厚介质层(5)的距离。

8.根据权利要求1所述的一种SOI横向高压器件，其特征在于：所述厚介质层(5)的右端与N型重掺杂漏极区(11)或N型buffer区(17)相切。

9.根据权利要求1所述的一种SOI横向高压器件，其特征在于：所述N型条区(7)和P型条区(6)的右端不与厚介质层(5)的左端相切。

10.根据权利要求1所述的一种SOI横向高压器件，其特征在于：所述器件还包括M层场板，M＝1，2，3，4，……。