[发明专利]一种发光二极管的晶元测试方法和晶元测试系统

说明书

本发明公开了一种发光二极管的晶元测试方法和晶元测试系统，属于光电子技术领域。该晶元测试方法包括对同一片待测试晶元上的LED芯片进行抽样测试，得到抽样测试结果；将抽样测试结果分别与对应的多种光电参数的预设标准进行比较，以得到未达标光电参数；对同一片待测试晶元上的每个LED芯片进行未达标光电参数的逐一测试。由于在进行逐一测试的过程中，有部分光电参数不再进行测试，从而可以减少测试的项目，提高测试的效率，同时由于已经进行了抽样测试，因此可以确保在逐一测试中未进行测试的光电参数也满足工艺的要求。

技术领域

本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种发光二极管的晶元测试方法和晶元测试系统。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。

LED的核心结构是LED芯片，LED芯片的制作主要包括外延片的生长、芯片制造和晶元的分割，在完成晶元的分割后，就可以得到单个的LED芯片。

LED芯片在制作完成后需要进行多种光电参数的测试，只有在测试合格后才能符合市场的需要。随着近几年市场对LED的需求量急剧增加，对LED的生产效率提出了更高要求。在对LED芯片进行测试的过程中，如果逐一对晶元上的每一个LED芯片进行所有光电参数的测试，就会大大降低测试的效率，从而降低生产效率，而如果减少测试的光电参数数量或是LED芯片的数量，则无法确保未测试的光电参数满足预设标准，且也无法确保未进行测试的LED芯片合格，从而降低了LED的品质。

发明内容

为了解决现有LED的晶元测试无法兼顾效率和品质的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管的晶元测试方法和晶元测试系统。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管的晶元测试方法，所述晶元测试方法包括：

对同一片待测试晶元上的LED芯片进行抽样测试，得到抽样测试结果，所述抽样测试结果包括多种光电参数的测试结果，所述抽样测试的样本均匀分布于所述待测试晶元上；

将所述抽样测试结果分别与对应的多种光电参数的预设标准进行比较，以得到未达标光电参数；

对同一片所述待测试晶元上的每个所述LED芯片进行所述未达标光电参数的逐一测试，根据所述未达标光电参数的测试结果确定每个LED芯片是否合格。

优选地，所述多种光电参数包括抗静电电压、开启电压、工作电压、电压暂态峰值与稳定值之差、漏电流、反向击穿电压、亮度、主值波长、峰值波长、半波长、CIE色度x坐标和CIE色度y坐标中的多种。

优选地，所述抽样测试结果为所述多种光电参数中的任一种的良率或所述多种光电参数中的任一种的平均值。

优选地，所述抽样测试的样本总数不小于同一片所述待测试晶元上的所述LED芯片的总数的1％，且不大于同一片所述待测试晶元上的所述LED芯片的总数的10％。

另一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管的晶元测试系统，所述晶元测试系统包括：

第一测试单元，用于对同一片待测试晶元上的LED芯片进行抽样测试，得到抽样测试结果，所述抽样测试结果包括多种光电参数的测试结果，作为样本的所述LED芯片均匀分布于所述待测试晶元上；

处理单元，用于将所述抽样测试结果分别与对应的多种光电参数的预设标准进行比较，以得到未达标光电参数；

第二测试单元，用于对同一片所述待测试晶元上的每个所述LED芯片进行所述未达标光电参数的逐一测试，根据所述未达标光电参数的测试结果确定每个LED芯片是否合格。