[发明专利]一种发光二极管的晶元测试方法和晶元测试系统有效
| 申请号： | 201710203377.0 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN107167718B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 喻海波;叶青贤;向光胜;陈建南;周高明 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/44 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 测试 方法 系统 | ||
1.一种发光二极管的晶元测试方法，其特征在于，所述晶元测试方法包括：
对同一片待测试晶元上的LED芯片进行抽样测试，得到抽样测试结果，所述抽样测试结果包括多种光电参数的测试结果，所述抽样测试的样本均匀分布于所述待测试晶元上；
将所述抽样测试结果分别与对应的多种光电参数的预设标准进行比较，以得到未达标光电参数；
对同一片所述待测试晶元上的每个所述LED芯片进行所述未达标光电参数的逐一测试，根据所述未达标光电参数的测试结果确定每个LED芯片是否合格。
2.根据权利要求1所述的晶元测试方法，其特征在于，所述多种光电参数包括抗静电电压、开启电压、工作电压、电压暂态峰值与稳定值之差、漏电流、反向击穿电压、亮度、主值波长、峰值波长、半波长、CIE色度x坐标和CIE色度y坐标中的多种。
3.根据权利要求1所述的晶元测试方法，其特征在于，所述抽样测试结果为所述多种光电参数中的任一种的良率或所述多种光电参数中的任一种的平均值。
4.根据权利要求1～3任一项所述的晶元测试方法，其特征在于，所述抽样测试的样本总数不小于同一片所述待测试晶元上的所述LED芯片的总数的1％，且不大于同一片所述待测试晶元上的所述LED芯片的总数的10％。
5.一种发光二极管的晶元测试系统，其特征在于，所述晶元测试系统包括：
第一测试单元，用于对同一片待测试晶元上的LED芯片进行抽样测试，得到抽样测试结果，所述抽样测试结果包括多种光电参数的测试结果，作为样本的所述LED芯片均匀分布于所述待测试晶元上；
处理单元，用于将所述抽样测试结果分别与对应的多种光电参数的预设标准进行比较，以得到未达标光电参数；
第二测试单元，用于对同一片所述待测试晶元上的每个所述LED芯片进行所述未达标光电参数的逐一测试，根据所述未达标光电参数的测试结果确定每个LED芯片是否合格。
6.根据权利要求5所述的晶元测试系统，其特征在于，所述多种光电参数包括抗静电电压、开启电压、工作电压、电压暂态峰值与稳定值之差、漏电流、反向击穿电压、亮度、主值波长、峰值波长、半波长、CIE色度x坐标和CIE色度y坐标中的多种。
7.根据权利要求5所述的晶元测试系统，其特征在于，所述抽样测试结果为所述多种光电参数中的任一种的良率或所述多种光电参数中的任一种的平均值。
8.根据权利要求5～7任一项所述的晶元测试系统，其特征在于，所述抽样测试的样本总数不小于同一片所述待测试晶元上的所述LED芯片的总数的1％，且不大于10％。
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