[发明专利]柔性有机发光二极管显示器及其制作方法

说明书

本发明提供一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法，该方法包括在柔性衬底上沉积非晶硅薄膜，并对所述非晶硅薄膜进行第一图形化处理；对所述第一图形化处理后的非晶硅薄膜进行结晶处理，形成定向结晶的多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜进行第二次图形化处理，形成沟道；在所述沟道上依次形成栅极、源极和漏极；在所述源极和漏极上形成OLED显示层；在所述OLED显示层上形成封装层。本发明的柔性有机发光二极管显示器及其制作方法，能够避免主动层在弯曲应力下导致晶界处成键断裂/变形而引起的TFT电性不良的风险，提高了柔性显示器件在弯曲应力下的可靠性。

【技术领域】

本发明涉及显示器技术领域，特别是涉及一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法。

【背景技术】

目前，柔性显示技术主要应用在中小尺寸的产品中，一般采用LTPS-TFT背板，其采用准分子雷射退火(excimer laser annealing，ELA)结晶的低温多晶硅(Low TemperaturePoly-silicon，LTPS)作为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的沟道层。TFT的电学参数(阈值电压、亚阈值摆幅、迁移率等)与沟道内晶界密度强烈相关。若要使得阵列基板具有良好的电性均一性，需要LTPS薄膜具有非常均一的晶粒尺寸。

LTPS薄膜由许多硅晶粒组成，难免存在晶界。由于LTPS薄膜的晶界面上原子结合力较弱，导致在弯曲应力下，晶界处容易发生原子间成键断裂/变形，使TFT电性恶化甚至器件失效。

因此，有必要提供一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法，能够降低LTPS薄膜沿沟道长度方向上的晶界密度。

为解决上述技术问题，本发明提供一种柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其包括：

在柔性衬底上沉积非晶硅薄膜，并对所述非晶硅薄膜进行第一图形化处理，以得到多个子非晶硅薄膜；

对所述子非晶硅薄膜进行结晶处理，形成沿所述子非晶硅薄膜的短边方向定向结晶的多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜上形成有多个垂直于所述子非晶硅薄膜的长边方向的柱状多晶硅晶粒；

对所述多晶硅薄膜进行第二次图形化处理，形成沟道；

在所述沟道上依次形成栅极、源极和漏极；

在所述源极和漏极上形成OLED显示层；

在所述OLED显示层上形成封装层。

在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述子非晶硅薄膜具有两组相邻的第一边和第二边，所述第一边的长度小于所述第二边的长度；

所述沟道的长度方向与所述第一边平行；所述沟道的宽度方向与所述第二边平行。

在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述多晶硅薄膜沿所述第一边的延长线方向结晶。

在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述多晶硅薄膜包括多个多晶硅晶粒，所述多晶硅晶粒的长度方向与所述沟道的长度方向一致，所述多晶硅晶粒的宽度方向与所述沟道的宽度方向一致。

在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述结晶处理的方式为准分子退火处理。

在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述在柔性衬底上沉积非晶硅薄膜的步骤包括：

在柔性衬底上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成缓冲层；

在所述缓冲层上沉积非晶硅薄膜。