[发明专利]柔性有机发光二极管显示器及其制作方法

权利要求书

1.一种柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，包括：

在柔性衬底上沉积非晶硅薄膜，并对所述非晶硅薄膜进行第一图形化处理，以得到多个子非晶硅薄膜；

对所述子非晶硅薄膜进行结晶处理，形成沿所述子非晶硅薄膜的短边方向定向结晶的多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜上形成有多个垂直于所述子非晶硅薄膜的长边方向的柱状多晶硅晶粒；

对所述多晶硅薄膜进行第二次图形化处理，形成沟道；

在所述沟道上依次形成栅极、源极和漏极；

在所述源极和漏极上形成OLED显示层；

在所述OLED显示层上形成封装层。

2.根据权利要求1所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述子非晶硅薄膜具有两组相邻的第一边和第二边，所述第一边的长度小于所述第二边的长度；

所述沟道的长度方向与所述第一边平行；所述沟道的宽度方向与所述第二边平行。

3.根据权利要求2所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述多晶硅薄膜沿所述第一边的延长线方向结晶。

4.根据权利要求2所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述多晶硅薄膜包括多个多晶硅晶粒，所述多晶硅晶粒的长度方向与所述沟道的长度方向一致，所述多晶硅晶粒的宽度方向与所述沟道的宽度方向一致。

5.根据权利要求1所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述结晶处理的方式为准分子退火处理。

6.根据权利要求1所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述在柔性衬底上沉积非晶硅薄膜的步骤包括：

在柔性衬底上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成缓冲层；

在所述缓冲层上沉积非晶硅薄膜。

7.根据权利要求1所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，在所述沟道上依次形成栅极的步骤包括：

在所述沟道上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理得到所述栅极。

8.一种柔性有机发光二极管显示器，其特征在于，包括

柔性衬底；

主动阵列层，位于所述柔性衬底上，所述主动阵列层包括用于形成沟道的主动层，所述沟道是对沿第一图形化处理后的非晶硅薄膜的短边方向定向结晶的多晶硅薄膜进行第二次图形化处理得到的；所述定向结晶的多晶硅薄膜是通过对非晶硅薄膜进行所述第一图形化处理，以得到多个子非晶硅薄膜，并且对所述子非晶硅薄膜进行结晶处理，形成沿所述子非晶硅薄膜的短边方向定向结晶的多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜上形成有多个垂直于所述子非晶硅薄膜的长边方向的柱状多晶硅晶粒；

OLED显示层，位于所述主动阵列层上；

封装层，位于所述OLED显示层上。

9.根据权利要求8所述的柔性有机发光二极管显示器，其特征在于，

所述子非晶硅薄膜具有两组相邻的第一边和第二边，所述第一边的长度小于所述第二边的长度；

所述沟道的长度方向与所述第一边平行；所述沟道的宽度方向与所述第二边平行。

10.根据权利要求8所述的柔性有机发光二极管显示器，其特征在于，所述多晶硅薄膜包括多个多晶硅晶粒，所述多晶硅晶粒的长度方向与所述沟道的长度方向一致，所述多晶硅晶粒的宽度方向与所述沟道的宽度方向一致。